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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIA461DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -12 A, -20 V, 0.025 ohm, -4.5 V, -400 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET, SIA461DJ-T1-GE3, P-Canal, 12 A, 20 V, 6-Pin, PowerPAK SC-70 Simple Si.
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Precio unitario: 0,132€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1095 |
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SIA468DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, PowerPAK, Canal N, 16.1 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: TMOS6863.
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Precio unitario: 0,186€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIA469DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -12 A, -30 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,127€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1846 |
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SIA471DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, -30.3 A, -30 V, 0.0115 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: -30.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: TMOS6089.
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Precio unitario: 0,175€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4 |
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SIA511DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 4.5 A, 12 V, 0.033 ohm, 4.5 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V |
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Precio unitario: 0,381€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 32 |
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SIA517DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 4.5 A, 12 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V
Otros nombres: MOSFET, SIA517DJ-T1-GE3, Dual, N/P-Canal, 4,3 A, 4,5 A, 12 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70) Aislado Si.
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Precio unitario: 0,233€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2835 |
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SIA519EDJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 4.5 A, 20 V, 0.053 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,178€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1245 |
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SIA537EDJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, N&P CHANNEL, 12V, 4.5A, POWERPAK Polaridad de Transistor: N and P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V
Otros nombres: N/P-Ch PPAK SC-70 12/20 V 28/54mohms @ 4.
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Precio unitario: 0,309€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIA906EDJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 4.5 A, 20 V, 0.037 ohm, 4.5 V, 1.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, SIA906EDJ-T1-GE3, N-Canal-Canal, 4,5 A, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70) Simple Si.
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Precio unitario: 0,167€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIA910EDJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 4.5 A, 12 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V
Otros nombres: TMOSS6312.
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Precio unitario: 0,190€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1269 |
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SIA914ADJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 4.5 A, 20 V, 0.035 ohm, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,112€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14130 |
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SIA928DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 4.5 A, 30 V, 0.02 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,133€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIA975DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -4.5 A, -12 V, 0.07 ohm, -1.8 V, -400 mV Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V |
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Precio unitario: 0,424€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 115 |
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SIAA00DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 25 V, 0.0046 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V |
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Precio unitario: 0,204€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6000 |
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SIB404DK-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9 A, 12 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 350 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V |
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Precio unitario: 0,162€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 113 |