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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIHH068N60E-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 34 A, 600 V, 0.059 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 34A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: TMOS2658.
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Precio unitario: 3,541€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHH100N60E-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 28 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 28A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: TMOS3151.
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Precio unitario: 2,823€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHH11N60EF-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 11 A, 600 V, 0.31 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,610€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHH120N60E-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 24 A, 600 V, 0.106 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 24A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 4,908€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIHH14N60EF-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 600 V, 0.231 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 15A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,765€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 15 |
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SIHH180N60E-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 600 V, 0.155 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,930€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHH21N65E-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20.3 A, 650 V, 0.148 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 2,716€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHH21N65EF-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19.8 A, 650 V, 0.157 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: TMOS1216.
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Precio unitario: 2,558€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 21 |
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SIHH26N60E-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 25 A, 600 V, 0.117 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 25A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, SIHH26N60E-T1-GE3, N-Canal-Canal, 25 A, 600 V, 4-Pin, PowerPAK E Series Simple Si.
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Precio unitario: 2,047€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2738 |
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SIHH27N60EF-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 29 A, 600 V, 0.087 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 29A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 3,211€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHH28N60E-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 29 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 29A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,377€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2966 |
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SIHJ10N60E-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10 A, 600 V, 0.313 ohm, 10 V, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,048€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2910 |
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SIHJ240N60E-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 600 V, 0.208 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,009€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHJ6N65E-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5.6 A, 650 V, 0.755 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 0,779€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1008 |
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SIHJ7N65E-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 7.9 A, 650 V, 0.52 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 7.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 0,917€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3003 |