Inicio » Semiconductores - Discretos
Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
SIHW47N60E-GE3 |
|
Fabricado por:
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 47A, TO-247AD-3 Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 47A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
|
Precio unitario: 7,362€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 126 |
|
|
SIJ186DP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 79.4 A, 60 V, 0.0037 ohm, 10 V, 3.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 79.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
|
Precio unitario: 0,453€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
|
|
SIJ188DP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 92.4 A, 60 V, 0.0032 ohm, 10 V, 3.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 92.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
|
Precio unitario: 0,640€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
|
|
SIJ400DP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 32 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 32A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
|
Precio unitario: 0,886€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIJ438ADP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 169 A, 40 V, 0.0011 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 169A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
|
Precio unitario: 0,529€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
|
|
SIJ458DP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
|
Precio unitario: 0,667€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 776 |
|
|
SIJ482DP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 80 V, 0.0051 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
|
Precio unitario: 0,801€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIJA52ADP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 131 A, 40 V, 0.0013 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 131A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
|
Precio unitario: 0,892€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
|
|
SIJA58ADP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 109 A, 40 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 109A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
|
Precio unitario: 0,316€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 30 |
|
|
SIJA72ADP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 96 A, 40 V, 0.00285 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 96A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
|
Precio unitario: 0,323€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 30 |
|
|
SIR104DP-T1-RE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 79 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 79A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, SIR104DP-T1-RE3, N-Canal-Canal, 79 A, 100 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,923€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIR106DP-T1-RE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 65.8 A, 100 V, 0.0066 ohm, 10 V, 3.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 65.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
|
Precio unitario: 0,648€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5995 |
|
|
SIR108DP-T1-RE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 45 A, 100 V, 0.0113 ohm, 10 V, 3.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 45A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
|
Precio unitario: 0,573€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIR112DP-T1-RE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 133 A, 40 V, 0.0016 ohm, 10 V, 1.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 133A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
|
Precio unitario: 0,463€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 45 |
|
|
SIR120DP-T1-RE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 106 A, 80 V, 0.00296 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 106A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, SIR120DP-T1-RE3, N-Canal-Canal, 106 A, 80 V, 8-Pin, PowerPAK SO Simple.
|
|
Precio unitario: 0,713€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |