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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIR401DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 50 A, -20 V, 0.0025 ohm, -10 V, -600 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET, SIR401DP-T1-GE3, P-Canal, 50 A, 20 V, 8-Pin, PowerPAK SO TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,362€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIR402DP-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 1.15 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,340€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2261 |
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SIR410DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 20 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, N-CH, 20V, 35A, 150DEG C, 36W.
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Precio unitario: 0,392€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIR418DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 40 V, 0.00415 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, SIR418DP-T1-GE3, N-Canal-Canal, 23 A, 40 V, 8-Pin, PowerPAK SO Simple Si.
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Precio unitario: 0,419€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3 |
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SIR424DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 20 V, 0.0046 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, SIR424DP-T1-GE3, N-Canal-Canal, 23 A, 20 V, 8-Pin, PowerPAK SO Simple Si.
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Precio unitario: 0,326€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2667 |
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SIR440DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 20 V, 0.00125 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 60A; Idm: 100A; 66,6W.
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Precio unitario: 0,844€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
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SIR460DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,437€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIR462DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 30 V, 0.0065 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SIR462DP-T1-GE3, N-Canal-Canal, 19 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAK SO Simple Si.
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Precio unitario: 0,425€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5208 |
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SIR464DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 50A, POWERPAK8 Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,599€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIR466DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 30 V, 0.0029 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SIR466DP-T1-GE3, N-Canal-Canal, 28 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAK SO Simple Si.
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Precio unitario: 0,418€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5642 |
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SIR468DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 30 V, 0.0047 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,499€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 113 |
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SIR472DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
N CHANNEL MOSFET, 30V, 20A, SOIC Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,374€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2510 |
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SIR606BDP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 38.7 A, 100 V, 0.0145 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 38.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: TMOS7055.
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Precio unitario: 0,489€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6000 |
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SIR608DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 208 A, 45 V, 0.001 ohm, 10 V, 2.3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 208A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 45V
Otros nombres: TMOS3168.
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Precio unitario: 0,742€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 45 |
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SIR610DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35.4 A, 200 V, 0.0239 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: TMOS2823.
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Precio unitario: 0,772€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |