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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SISS30LDN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 55.5 A, 80 V, 0.00705 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 55.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, SISS30LDN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 55.5 A, 80 V, 8-Pin, PowerPak 1212-S Simple.
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Precio unitario: 0,433€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SISS32DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 63 A, 80 V, 0.006 ohm, 10 V, 3.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 63A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 0,525€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SISS42DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40.5 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,561€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6000 |
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SISS42LDN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 39 A, 100 V, 0.0122 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 39A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, SISS42LDN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 39 A, 100 V, 8-Pin, PowerPak 1212-S Simple.
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Precio unitario: 0,454€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6000 |
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SISS46DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 45.3 A, 100 V, 0.0106 ohm, 10 V, 3.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 45.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,598€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 15 |
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SISS60DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N + Schottky, 181.8 A, 30 V, 0.00109 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 181.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SISS60DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 181.8 A, 30 V, 8-Pin, PowerPak 1212-S Simple.
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Precio unitario: 0,557€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 30 |
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SISS61DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -111.9 A, -20 V, 0.0029 ohm, -4.5 V, -900 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -111.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,337€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SISS64DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,463€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6050 |
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SISS65DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -94 A, -30 V, 0.0038 ohm, -10 V, -2.3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -94A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: STDMOS1076.
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Precio unitario: 0,262€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 45 |
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SISS66DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N + Schottky, 178.3 A, 30 V, 0.00115 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 178.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,557€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SISS67DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -60 A, -30 V, 0.0046 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,360€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6000 |
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SISS71DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -23 A, -100 V, 0.047 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -23A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -100V
Otros nombres: TMOS2067.
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Precio unitario: 0,402€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SISS72DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 25.5 A, 150 V, 0.035 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 25.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 0,570€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SISS73DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -16.2 A, -150 V, 0.1 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -16.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -150V
Otros nombres: MOSFET, SISS73DN-T1-GE3, P-Canal, 16,2 A, 150 V, 8-Pin, PowerPak 1212-S Simple.
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Precio unitario: 0,445€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 35 |
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SISS92DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12.3 A, 250 V, 0.14 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V |
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Precio unitario: 0,469€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 34 |