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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SQ3460EV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,187€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQ3987EV-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -3 A, -30 V, 0.085 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,242€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2190 |
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SQ4080EY-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 150 V, 0.07 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 0,403€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3010 |
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SQ4401EY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -17.3 A, -40 V, 0.011 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -17.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: MOSFET, SQ4401EY-T1-GE3, P-Canal, 17 A, 40 V, 8-Pin, SOIC SQ Rugged Simple Si.
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Precio unitario: 1,019€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQ4410EY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 30 V, 0.009 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 15A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,426€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 169 |
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SQ4920EY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 8 A, 30 V, 0.013 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,374€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQ4936EY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 7 A, 30 V, 0.027 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,337€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 172 |
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SQ4942EY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 40 V, 0.016 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,502€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 69 |
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SQ4946AEY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 7 A, 60 V, 0.033 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; Idm: 28A; 1,3W; SO8.
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Precio unitario: 0,492€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQ4946AEY-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 7 A, 60 V, 0.033 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, SQ4946AEY-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 7 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,494€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1141 |
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SQ7414CENW-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 60 V, 0.016 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,318€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 28630 |
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SQ7415AEN-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -16 A, -60 V, 0.065 ohm, 10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: MOSFET, SQ7415AEN-T1_GE3, P-Canal, 11 A, 60 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 SQ Rugged Simple Si.
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Precio unitario: 0,263€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 15606 |
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SQ9945BEY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N, 5.4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,340€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQA401EEJ-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -2.68 A, -20 V, 0.093 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -2.68A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQA401EEJ-T1_GE3, P-Canal, 2,68 A, 20 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,147€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2995 |
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SQA401EJ-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -3.75 A, -20 V, 0.085 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -3.75A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,133€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |