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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SQJ414EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 30 V, 0.0098 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,272€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 35 |
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SQJ415EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -30 A, -40 V, 0.0115 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQJ415EP-T1_GE3, P-Canal, 30 A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,311€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2980 |
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SQJ420EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 40 V, 0.0082 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,261€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5591 |
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SQJ431AEP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -9.4 A, -200 V, 0.254 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -9.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -200V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQJ431AEP-T1_GE3, P-Canal, 9,4 A, 200 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,500€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2310 |
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SQJ431EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -12 A, -200 V, 0.178 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -200V
Otros nombres: TMOS2218.
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Precio unitario: 0,735€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 34168 |
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SQJ454EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 13 A, 200 V, 0.118 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 13A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V |
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Precio unitario: 0,367€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1364 |
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SQJ459EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -52 A, -60 V, 0.0155 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -52A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: TMOS1820.
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Precio unitario: 0,430€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5547 |
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SQJ463EP-T1 |
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Fabricado por:
MOSFET, P-CH, -40V, -30A, POWERPAK SO Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V |
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Precio unitario: 2,658€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 997 |
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SQJ469EP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -32 A, -80 V, 0.021 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -32A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -80V |
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Precio unitario: 1,106€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQJ469EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -32 A, -80 V, 0.021 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -32A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -80V
Otros nombres: TMOSP11654.
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Precio unitario: 1,251€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8322 |
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SQJ481EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -16 A, -80 V, 0.0651 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -80V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQJ481EP-T1_GE3, P-Canal, 16 A, 80 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,326€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2180 |
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SQJ504EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 30 A, 40 V, 0.0061 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQJ504EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A, AEC-Q101 MOSFET, SQJ504EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A; 30 (canal P) A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Si.
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Precio unitario: 0,427€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2823 |
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SQJ560EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 30 A, 60 V, 0.0099 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: STDMOS1377.
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Precio unitario: 0,371€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2865 |
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SQJ850EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 24 A, 60 V, 0.019 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 24A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,541€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3804 |
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SQJ858AEP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 58 A, 40 V, 0.005 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 58A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; 48W; PowerPAK® SO8.
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Precio unitario: 0,359€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |