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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SST4401HZGT116 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 40 V, 250 MHz, 350 mW, 600 mA, 40 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Frecuencia de Transición ft: 250MHz |
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Precio unitario: 0,024€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 340 |
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SST4403HZGT116 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -40 V, 200 MHz, 350 mW, -600 mA, 20 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -40V Frecuencia de Transición ft: 200MHz |
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Precio unitario: 0,018€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2651 |
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SST6839T116 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, 40 V, 140 MHz, 200 mW, 100 mA, 100 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Frecuencia de Transición ft: 140MHz |
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Precio unitario: 0,113€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SSTA06HZGT116 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 80 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 80V Frecuencia de Transición ft: 100MHz
Otros nombres: TDSTD9170.
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Precio unitario: 0,030€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 189 |
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SSTA28T116 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 80 V, 200 MHz, 200 mW, 100 mA, 10000 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 80V Frecuencia de Transición ft: 200MHz
Otros nombres: TDSTD8800, Transistor, SSTA28T116, NPN 300 mA 80 V HFE:10 000 Dual SOT-23, 3 pines, 200 MHz,.
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Precio unitario: 0,079€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 480 |
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SSTA56HZGT116 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -80 V, 50 MHz, 350 mW, -500 mA, 100 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -80V Frecuencia de Transición ft: 50MHz |
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Precio unitario: 0,026€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1248 |
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ST13003-K |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 400 V, 40 W, 1.5 A, 20 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 400V Disipación de Potencia Pd: 40W |
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Precio unitario: 0,196€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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ST13007 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 400 V, 80 W, 8 A, 5 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 400V Disipación de Potencia Pd: 80W
Otros nombres: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB.
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Precio unitario: 0,553€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 489 |
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ST13009 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 400 V, 100 W, 12 A, 10 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 400V Disipación de Potencia Pd: 100W
Otros nombres: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 12A; 100W; TO220.
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Precio unitario: 0,577€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1729 |
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ST1510FX |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 750 V, 62 W, 12 A, 6.5 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 750V Disipación de Potencia Pd: 62W
Otros nombres: TDSTD8729.
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Precio unitario: 0,967€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 166 |
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ST901T |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, Darlington, NPN, 350 V, 100 W, 4 A, 1500 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 350V Disipación de Potencia Pd: 100W
Otros nombres: Par Darlington, ST901T, NPN 4 A, 350 V, HFE:500, TO-220, 3 pines Simple.
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Precio unitario: 0,395€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1927 |
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STAC250V2-500E |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, 900 V, 27 MHz, STAC177B Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 27MHz Encapsulado del Transistor RF: STAC177B |
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Precio unitario: 95,914€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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STAC2942BW |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, 130 V, 40 A, 625 W, 175 MHz, STAC244B Tensión Drenador-Fuente (Vds): 130V Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Disipación de Potencia Pd: 625W |
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Precio unitario: 87,193€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 32 |
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STB100N10F7 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 100 V, 0.0068 ohm, 10 V, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, STB100N10F7, N-Canal-Canal, 80 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) STripFET H7 Simple Si.
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Precio unitario: 0,836€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 867 |
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STB100N6F7 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 60 V, 0.0047 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, STB100N6F7, N-Canal-Canal, 100 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) STripFET F7 Simple Si.
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Precio unitario: 0,657€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |