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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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STGWT15H60F |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, Puerta en Zanja, 30 A, 1.6 V, 115 W, 600 V, TO-3P, 3 Pines Corriente de Colector DC: 30A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.6V Disipación de Potencia Pd: 115W
Otros nombres: IGBT, STGWT15H60F, N-Canal, 30 A a +25 °C, 600 V, TO, 3-Pines, 1MHZ 1 Simple.
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Precio unitario: 0,773€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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STGWT20H65FB |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 40 A, 1.55 V, 168 W, 650 V, TO-3P, 3 Pines Corriente de Colector DC: 40A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V Disipación de Potencia Pd: 168W
Otros nombres: IGBT, STGWT20H65FB, N-Canal, 40 A, 650 V, TO, 3-Pines 1 Simple.
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Precio unitario: 1,542€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 300 |
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STGWT20HP65FB |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 40 A, 1.55 V, 168 W, 650 V, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 40A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V Disipación de Potencia Pd: 168W |
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Precio unitario: 1,135€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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STGWT30V60F |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 60 A, 1.85 V, 260 W, 600 V, TO-3P, 3 Pines Corriente de Colector DC: 60A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V Disipación de Potencia Pd: 260W
Otros nombres: IGBT, STGWT30V60F, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines Simple.
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Precio unitario: 1,397€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 300 |
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STGWT60H60DLFB |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 600 V, TO-3P, 3 Pines Corriente de Colector DC: 80A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.6V Disipación de Potencia Pd: 375W |
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Precio unitario: 2,144€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 286 |
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STGWT80H65DFB |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 120 A, 1.6 V, 469 W, 650 V, TO-3P, 3 Pines Corriente de Colector DC: 120A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.6V Disipación de Potencia Pd: 469W
Otros nombres: IGBT, STGWT80H65DFB, N-Canal, 120 A, 650 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple.
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Precio unitario: 3,420€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 222 |
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STGWT80V60DF |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 120 A, 1.85 V, 469 W, 600 V, TO-3P, 3 Pines Corriente de Colector DC: 120A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V Disipación de Potencia Pd: 469W |
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Precio unitario: 6,383€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 294 |
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STGYA120M65DF2AG |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, MAX-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 160A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.65V Disipación de Potencia Pd: 625W
Otros nombres: IGBT2224.
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Precio unitario: 5,752€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 82 |
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STH110N8F7-2 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 110 A, 80 V, 0.0056 ohm, 10 V, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 110A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 0,493€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 22 |
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STH180N10F3-2 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 100 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, STH180N10F3-2, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK-2 STripFET F3 Simple Si.
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Precio unitario: 2,189€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 166 |
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STH180N10F3-6 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 100 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 1,591€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 28 |
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STH210N75F6-2 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 75 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 75V |
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Precio unitario: 5,482€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2 |
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STH260N6F6-2 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 60 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 2,580€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 214 |
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STH270N4F3-6 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 2,318€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 253 |
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STH310N10F7-2 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 100 V, 0.0019 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, STH310N10F7-2, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK STripFET H7 Simple Si.
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Precio unitario: 4,559€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 999 |