Inicio » Semiconductores - Discretos

Mostrando 23431 referencias.

SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
STWA63N65DM2
STWA63N65DM2

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 650 V, 0.042 ohm, 10 V, 4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V

Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 60A; 446W.

Precio unitario: 8,100€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 82
STX13003
STX13003

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 400 V, 1.5 W, 1.5 A, 8 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 400V Disipación de Potencia Pd: 1.5W

Precio unitario: 0,194€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
STX13003G
STX13003G

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 400 V, 1.5 W, 1 A, 5 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 400V Disipación de Potencia Pd: 1.5W

Precio unitario: 0,267€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 3995
STX616-AP
STX616-AP

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 500 V, 2.8 W, 1.5 A, 4 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 500V Disipación de Potencia Pd: 2.8W

Precio unitario: 0,134€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 700
STX826
STX826

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, 30 V, 100 MHz, 900 mW, 3 A, 100 hFE

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 30V Frecuencia de Transición ft: 100MHz

Precio unitario: 0,200€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 3
STX83003
STX83003

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 400 V, 1.5 W, 500 mA, 25 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 400V Disipación de Potencia Pd: 1.5W

Precio unitario: 0,165€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
STY100NM60N
STY100NM60N

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 98 A, 600 V, 0.028 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 98A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Precio unitario: 12,678€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 56
STY105NM50N
STY105NM50N

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 110 A, 500 V, 0.019 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 110A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V

Precio unitario: 11,039€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 108
STY112N65M5
STY112N65M5

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 96 A, 650 V, 0.019 ohm, 10 V, 4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 96A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V

Otros nombres: MOSFET, STY112N65M5, N-Canal-Canal, 96 A, 650 V, 3-Pin, Máx. 247 MDmesh M5 Simple Si.

Precio unitario: 20,855€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 20
STY139N65M5
STY139N65M5

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 130 A, 650 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 130A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V

Otros nombres: MOSFET, STY139N65M5, N-Canal-Canal, 130 A, 710 V, 3-Pin, Máx. 247 MDmesh M5 Simple Si.

Precio unitario: 17,703€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
STY145N65M5
STY145N65M5

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 138 A, 650 V, 0.012 ohm, 10 V, 4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 138A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V

Otros nombres: MOSFET, STY145N65M5, N-Canal-Canal, 138 A, 650 V, 3-Pin, Máx. 247 MDmesh Simple Si.

Precio unitario: 24,376€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
STY60NK30Z
STY60NK30Z

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 300 V, 0.033 ohm, 10 V, 3.75 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 300V

Otros nombres: MOSFET, STY60NK30Z, N-Canal-Canal, 60 A, 300 V, 3-Pin, Máx. 247 MDmesh, SuperMESH Simple Si.

Precio unitario: 5,190€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 560
STY80NM60N
STY80NM60N

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 37 A, 600 V, 0.03 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 37A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 447W; MAX247.

Precio unitario: 8,856€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
STZ5.6NFHT146
STZ5.6NFHT146

Fabricado por: Rohm

Diodos Zener Simples

Diodo Zener Simple, 5.6 V, 200 mW, SMD, 3 Pines, 150 °C

Tensión Zener Vz Típica: 5.6V Disipación de Potencia Pd: 200mW Encapsulado del Diodo: SMD

Precio unitario: 0,182€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2845
STZ5.6NT146
STZ5.6NT146

Fabricado por: Rohm

Array de Diodos Zener

Array de Diodos Zener, 5.6 V, Anodo Común Doble, 200 mW, -55 °C, 150 °C, SOT-346

Tensión Zener Vz Típica: 5.6V Configuración de Diodo: Anodo Común Doble Disipación de Potencia Pd: 200mW

Otros nombres: ROHM 2.9 x 1.6 x 1mm Ánodo común 1mm 2.9mm STZ5.6NT146 +150 °C 1μA 200Ω Montaje superficial 5.6V 2 SMD3 3 200mW.

Precio unitario: 0,081€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí