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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
ULQ2003ADR .
ULQ2003ADR .

Fabricado por: Texas Instruments

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente de Colector DC: 500mA

- Precio unitario: 0,182€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
ULQ2003ADR2G
ULQ2003ADR2G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente de Colector DC: 500mA

Otros nombres: Par Darlington, ULQ2003ADR2G, NPN 500 mA, 50 V, HFE:1000, SOIC, 16 pines Emisor común.

Precio unitario: 0,134€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 365
ULQ2003AQDRQ1 .
ULQ2003AQDRQ1 .

Fabricado por: Texas Instruments

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 50 V, 950 mW, 500 mA, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 950mW

- Precio unitario: 0,292€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
ULQ2003ATDRQ1 .
ULQ2003ATDRQ1 .

Fabricado por: Texas Instruments

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 50 V, 950 mW, 500 mA, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 950mW

- Precio unitario: 0,306€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 183
ULQ2003D1013TR
ULQ2003D1013TR

Fabricado por: Stmicroelectronics

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Darlington, NPN Doble, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente de Colector DC: 500mA

Otros nombres: Par Darlington, ULQ2003D1013TR, NPN 500 mA, 50 V, SOIC, 16 pines Emisor común.

Precio unitario: 0,225€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 10486
ULQ2004A
ULQ2004A

Fabricado por: Stmicroelectronics

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente de Colector DC: 500mA

Otros nombres: IC: driver; darlington,matriz de transistores; DIP16; 0,5A; 50V, Par Darlington, ULQ2004A, NPN 500 mA, 50 V, PDIP, 16 pines Emisor común.

Precio unitario: 0,174€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 806
ULQ2803A
ULQ2803A

Fabricado por: Stmicroelectronics

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 2.25W

Otros nombres: Par Darlington, ULQ2803A, NPN 500 mA, 50 V, HFE:1000 @ 350 mA @ 2 V, PDIP, 18 pines Emisor común.

Precio unitario: 0,487€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 436
UM2222AU3T106
UM2222AU3T106

Fabricado por: Rohm

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 600 mA, 100 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Frecuencia de Transición ft: 300MHz

Precio unitario: 0,048€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
UM6J1NTN
UM6J1NTN

Fabricado por: Rohm

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal P Doble, -200 mA, -30 V, 0.9 ohm, -10 V, -2.5 V

Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -200mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V

Precio unitario: 0,100€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 95
UM6K31NFHATCN
UM6K31NFHATCN

Fabricado por: Rohm

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 250 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, 2.3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 250mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V

Precio unitario: 0,070€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2095
UM6K31NTN
UM6K31NTN

Fabricado por: Rohm

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 250 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, 2.3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 250mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V

Precio unitario: 0,066€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 81
UM6K33NTN
UM6K33NTN

Fabricado por: Rohm

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 200 mA, 50 V, 1.6 ohm, 4.5 V, 1 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 200mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 50V

Precio unitario: 0,055€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 911
UM6K34NTCN
UM6K34NTCN

Fabricado por: Rohm

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 200 mA, 50 V, 1.6 ohm, 4.5 V, 800 mV

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 200mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 50V

Precio unitario: 0,045€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 80
UMA2NTR
UMA2NTR

Fabricado por: Rohm

Transistores Bipolares Prepolarizados / Digitales

Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, Doble, PNP Doble, -50 V, -100 mA, 47 kohm, 47 kohm

Polaridad de Transistor Digital: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -50V Corriente Continua de Colector Ic: -100mA

Precio unitario: 0,051€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
UMA4NTR
UMA4NTR

Fabricado por: Rohm

Transistores Bipolares Prepolarizados / Digitales

Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, Doble, PNP Doble, 50 V, -100 mA, 10 kohm

Polaridad de Transistor Digital: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente Continua de Colector Ic: -100mA

Otros nombres: Transistor digital UMA4NTR, PNP, -100 mA -50 V 10 kΩ, SOT-353, 5 pines Dual, Doble Emisor común.

Precio unitario: 0,044€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí