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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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BF992,215 |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, 20 V, 40 mA, 200 mW, SOT-143B Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V Corriente de Drenaje Continua Id: 40mA Disipación de Potencia Pd: 200mW
Otros nombres: MOSFET, BF992,215, N-Canal, 40 mA, 20 V, Reducción, 4-Pin, SOT-143.
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Precio unitario: 0,183€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5438 |
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BF996S,215 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 mA, 20 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,165€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BF998 |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, 12 V, 30 mA, 200 mW, SOT-143B Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V Corriente de Drenaje Continua Id: 30mA Disipación de Potencia Pd: 200mW |
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Precio unitario: 0,115€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BF998E6327HTSA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 mA, 12 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V
Otros nombres: MOSFET Tetrode, BF998E6327HTSA1, N-Canal-Canal, 30 mA, 12 V, 4-Pin, SOT-143 Simple Si.
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Precio unitario: 0,096€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11312 |
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BF999E6327HTSA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 mA, 20 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET Tetrode, BF999E6327HTSA1, N-Canal-Canal, 1,4 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si.
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Precio unitario: 0,127€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3254 |
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BFG21W,115 |
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Fabricado por:
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 4.5 V, 18 GHz, 600 mW, 500 mA, 40 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 4.5V Frecuencia de Transición ft: 18GHz |
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Precio unitario: 0,317€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BFG31,115. |
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Fabricado por:
RF WIDEBAND TRANSISTOR, PNP, -15V, 5GHZ, Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -15V Frecuencia de Transición ft: 5GHz |
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Precio unitario: 0,498€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BFG35,115 |
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Fabricado por:
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 18V Frecuencia de Transición ft: 4GHz
Otros nombres: Transistor, BFG35,115, NPN 150 mA 18 V HFE:25 SOT-223 (SC-73), 4 pines, 4.000 MHz,.
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Precio unitario: 0,409€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 430 |
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BFG403W,115 |
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Fabricado por:
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 4.5 V, 17 GHz, 16 mW, 3 mA, 50 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 4.5V Frecuencia de Transición ft: 17GHz |
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Precio unitario: 0,087€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BFG403W,115. |
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Fabricado por:
RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 4.5V, 17GHZ Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 4.5V Frecuencia de Transición ft: 17GHz |
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Precio unitario: 0,137€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BFG410W,115 |
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Fabricado por:
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 4.5 V, 22 GHz, 54 mW, 12 mA, 80 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 4.5V Frecuencia de Transición ft: 22GHz |
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Precio unitario: 0,069€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BFG424F,115 |
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Fabricado por:
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 135 mW, 30 mA, 80 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 4.5V Frecuencia de Transición ft: 25GHz |
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Precio unitario: 0,050€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BFG425W,115 |
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Fabricado por:
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 135 mW, 25 mA, 80 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 4.5V Frecuencia de Transición ft: 25GHz |
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Precio unitario: 0,060€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BFG520,215 |
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Fabricado por:
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 15 V, 9 GHz, 300 mW, 70 mA, 120 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 15V Frecuencia de Transición ft: 9GHz |
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Precio unitario: 0,086€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2075 |
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BFG520/X,215 |
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Fabricado por:
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 15 V, 9 GHz, 300 mW, 70 mA, 60 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 15V Frecuencia de Transición ft: 9GHz |
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Precio unitario: 0,115€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |