Inicio » Semiconductores - Discretos
Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
BSC12DN20NS3GATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 11.3 A, 200 V, 0.108 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: MOSFET, BSC12DN20NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 11,3 A, 200 V, 8-Pin, TDSON BSC12DN20NS3 G Simple.
|
|
Precio unitario: 0,439€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 556 |
|
|
BSC130P03LSGAUMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Resistencias de Polarización Integradas (BRT), Canal P, -22.5 A, -30 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -22.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, BSC130P03LSGAUMA1, P-Canal, 22,5 A, 30 V, 8-Pin, TDSON.
|
|
Precio unitario: 0,545€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
BSC13DN30NSFDATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 300 V, 0.114 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 300V |
|
Precio unitario: 1,135€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4436 |
|
|
BSC150N03LDGATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 30 V, 0.0125 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, BSC150N03LDGATMA1, Dual, N-Canal-Canal, 20 A, 30 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 3 Aislado Si.
|
|
Precio unitario: 0,349€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7486 |
|
|
BSC159N10LSF G |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 63 A, 100 V, 0.0122 ohm, 10 V, 1.85 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 63A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: TMOSP9606.
|
|
Precio unitario: 0,958€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
BSC160N10NS3GATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 42 A, 100 V, 0.0139 ohm, 10 V, 2.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 42A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, BSC160N10NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 42 A, 100 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 3 Simple Si.
|
- |
Precio unitario: 0,496€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11063 |
|
|
BSC160N15NS5ATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 56 A, 150 V, 0.0137 ohm, 10 V, 3.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 56A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V
Otros nombres: MOSFET, BSC160N15NS5ATMA1, N-Canal-Canal, 56 A, 150 V, 8-Pin, SuperSO8 5x6 OptiMOS 5.
|
|
Precio unitario: 0,889€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
BSC16DN25NS3GATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10.9 A, 250 V, 0.146 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V |
|
Precio unitario: 0,697€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1310 |
|
|
BSC190N12NS3GATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 44 A, 120 V, 0.0166 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 44A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 120V |
|
Precio unitario: 0,582€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3386 |
|
|
BSC190N15NS3GATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 150 V, 0.016 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V
Otros nombres: MOSFET, BSC190N15NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 150 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 3 Simple, MOSFET, BSC190N15NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 150 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 3 Simple Si.
|
|
Precio unitario: 1,164€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
BSC196N10NSGATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 45 A, 100 V, 0.0167 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 45A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, BSC196N10NSGATMA1, N-Canal-Canal, 45 A, 100 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 2 Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,403€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
BSC22DN20NS3GATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 7 A, 200 V, 0.194 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: MOSFET, BSC22DN20NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 7 A, 200 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 3 Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,317€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4913 |
|
|
BSC252N10NSFGATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 100 V, 0.0195 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, BSC252N10NSFGATMA1, N-Canal-Canal, 40 A, 100 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 2 Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,759€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 36 |
|
|
BSC265N10LSFGATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 1.85 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, BSC265N10LSFGATMA1, N-Canal-Canal, 40 A, 100 V, 8-Pin, PG-TDSON OptiMOS 2 Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,411€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9464 |
|
|
BSC320N20NS3GATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 36 A, 200 V, 0.027 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 36A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: MOSFET, BSC320N20NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 36 A, 200 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 3 Simple, MOSFET, BSC320N20NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 36 A, 200 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 3 Simple Si.
|
|
Precio unitario: 2,037€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |