Inicio » Semiconductores - Discretos
Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
BST50,115 |
|
Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, Darlington, NPN, 45 V, 200 MHz, 1.3 W, 1 A, 2000 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 45V Frecuencia de Transición ft: 200MHz
Otros nombres: Par Darlington, BST50,115, NPN 1 A, 45 V, HFE:1000, UPAK, 4 pines Simple.
|
|
Precio unitario: 0,188€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3059 |
|
|
BST51,115 |
|
Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 60 V, 200 MHz, 1.3 W, 1 A, 1000 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 60V Frecuencia de Transición ft: 200MHz |
|
Precio unitario: 0,198€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2949 |
|
|
BST52,115 |
|
Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, Darlington, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.3 W, 1 A, 2000 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 80V Frecuencia de Transición ft: 200MHz
Otros nombres: Par Darlington, BST52,115, NPN 1 A, 80 V, HFE:1000, UPAK, 4 pines Simple, Transistor de Unión Bipolar Único, Darlington, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.3 W, 1 A, 1000 hFE.
|
|
Precio unitario: 0,220€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3102 |
|
|
BST52TA |
|
Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, Darlington, NPN, 80 V, 1 W, 500 mA, 2000 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 80V Disipación de Potencia Pd: 1W
Otros nombres: Par Darlington, BST52TA, NPN 500 mA, 80 V, HFE:1000, SOT-89, 3 pines Simple.
|
|
Precio unitario: 0,114€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1206 |
|
|
BST62,115 |
|
Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, Darlington, PNP, -80 V, 200 MHz, 1.3 W, -1 A, 2000 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -80V Frecuencia de Transición ft: 200MHz
Otros nombres: Par Darlington, BST62,115, PNP -1 A, 80 V, HFE:1000, SOT-89, 3 pines Simple.
|
|
Precio unitario: 0,243€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2011 |
|
|
BST82,215 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 190 mA, 100 V, 5 ohm, 5 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 190mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, BST82,215, N-Canal-Canal, 190 mA, 100 V, 3-Pin, SOT-23 (TO-236AB) Simple Si, Transistor MOSFET, Canal N, 190 mA, 100 V, 10 ohm, 5 V, 2 V.
|
|
Precio unitario: 0,074€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 21000 |
|
|
BSV236SPH6327XTSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Resistencias de Polarización Integradas (BRT), Canal P, -1.5 A, -20 V, 0.131 ohm Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -1.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET, BSV236SPH6327XTSA1, P-Canal, 1,5 A, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88).
|
- |
Precio unitario: 0,109€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 580 |
|
|
BSV52 |
|
Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 12 V, 400 MHz, 225 mW, 200 mA, 25 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 12V Frecuencia de Transición ft: 400MHz
Otros nombres: Transistor, BSV52, NPN 200 mA 12 V HFE:25 SOT-23, 3 pines, 100 MHz,.
|
|
Precio unitario: 0,018€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2320 |
|
|
BSV52,215 |
|
Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, Conmutación, NPN, 12 V, 500 MHz, 250 mW, 100 mA, 40 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 12V Frecuencia de Transición ft: 500MHz
Otros nombres: Transistor, BSV52,215, NPN 100 mA 12 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 500 MHz, Simple.
|
|
Precio unitario: 0,094€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8368 |
|
|
BSV52LT1G |
|
Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 12 V, 400 MHz, 225 mW, 100 mA, 25 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 12V Frecuencia de Transición ft: 400MHz
Otros nombres: Transistor, BSV52LT1G, NPN 100 mA 12 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple, Transistor: NPN; bipolar; 12V; 0,1A; 225mW; SOT23.
|
|
Precio unitario: 0,026€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
BSZ018NE2LSATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 25 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V |
|
Precio unitario: 0,558€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7479 |
|
|
BSZ018NE2LSIATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 25 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V |
|
Precio unitario: 0,605€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2235 |
|
|
BSZ019N03LSATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 30 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
- |
Precio unitario: 0,496€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
BSZ025N04LSATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
|
Precio unitario: 0,463€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8818 |
|
|
BSZ034N04LSATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, BSZ034N04LSATMA1, N-Canal-Canal, 40 A, 40 V, 8-Pin, PQFN 3,3 x 3,3 OptiMOS.
|
|
Precio unitario: 0,365€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7064 |