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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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C3M0120090D |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, 15 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 23A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V
Otros nombres: MOSFET, C3M0120090D, N-Canal-Canal, 23 A, 900 V, 3-Pin, TO-247 Simple SiC.
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Precio unitario: 5,529€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1577 |
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C3M0120090J |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 22 A, 900 V, 0.12 ohm, 15 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 22A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V
Otros nombres: MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm, MOSFET, C3M0120090J, N-Canal-Canal, 22 A, 900 V, 7-Pin, TO-263 Simple SiC.
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Precio unitario: 5,694€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 411 |
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C3M0120100J |
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Fabricado por:
MOSFET de Potencia de Carburo de Silicio, Canal N, 22 A, 1 kV, 0.12 ohm, 15 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 22A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1kV
Otros nombres: MOSFET, C3M0120100J, N-Canal-Canal, 22 A, 1.000 V, 7 + Tab-Pin, TO-263 C3M Simple SiC.
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Precio unitario: 9,050€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3M0120100K |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 22 A, 1 kV, 0.12 ohm, 15 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 22A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1kV
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 13,5A; 83W; TO247-4; 16ns.
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Precio unitario: 6,732€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1015 |
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C3M0280090D |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, 15 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V
Otros nombres: MOSFET, C3M0280090D, N-Canal-Canal, 11,5 A, 900 V, 3-Pin, TO-247 Simple SiC.
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Precio unitario: 2,891€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 231 |
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C3M0280090J |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, 15 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V
Otros nombres: MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm, MOSFET, C3M0280090J, N-Canal-Canal, 11 A, 900 V, 7-Pin, TO-263 Simple SiC.
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Precio unitario: 3,104€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1032 |
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C4D02120A |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie Z-Rec 1200V, Simple, 1.2 kV, 10 A, 11 nC, TO-220 Rango de Producto: Serie Z-Rec 1200V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo, C4D02120A, 10A, 1200V Schottky SiC, TO-220, 2-Pines 3V, Schottky SiC, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 2A; 60W.
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Precio unitario: 1,290€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 862 |
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C4D05120A |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie Z-Rec 1200V, Simple, 1.2 kV, 17 A, 27 nC, TO-220 Rango de Producto: Serie Z-Rec 1200V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo, C4D05120A, 17A, 1200V Schottky SiC, TO-220, 2-Pines 3V, Schottky SiC, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 5A; 81W.
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Precio unitario: 3,337€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1108 |
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C4D05120E |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie Z-Rec 1200V, Simple, 1.2 kV, 9 A, 27 nC, TO-252 Rango de Producto: Serie Z-Rec 1200V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo, C4D05120E, 19A, 1200V Schottky SiC, DPAK (TO-252), 3-Pines 3V, Schottky SiC, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; SMD; 1,2kV; 5A; 97W.
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Precio unitario: 3,337€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C4D08120A |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie Z-Rec 1200V, Simple, 1.2 kV, 23 A, 37 nC, TO-220 Rango de Producto: Serie Z-Rec 1200V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo, C4D08120A, 23A, 1200V, TO-220, 2-Pines, Schottky SiC, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 8A; 120W.
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Precio unitario: 4,821€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4 |
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C4D10120A |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie Z-Rec 1200V, Simple, 1.2 kV, 29.5 A, 52 nC, TO-220 Rango de Producto: Serie Z-Rec 1200V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo, C4D10120A, 14A, 1200V Schottky SiC, TO-220, 2-Pines 3V, Schottky SiC, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 10A.
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Precio unitario: 6,528€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 201 |
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C4D10120D |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie Z-Rec 1200V, Cátodo Común Doble, 1.2 kV, 38 A, 54 nC Rango de Producto: Serie Z-Rec 1200V Configuración de Diodo: Cátodo Común Doble Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo, C4D10120D, 38A, 1200V Schottky SiC, TO-247, 3-Pines 3V, Schottky SiC, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 2x5A.
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Precio unitario: 5,791€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 437 |
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C4D10120E |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie Z-Rec 1200V, Simple, 1.2 kV, 33 A, 52 nC, TO-252 Rango de Producto: Serie Z-Rec 1200V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo, C4D10120E, 33A, 1200V Schottky SiC, DPAK (TO-252), 2-Pines 3V, Schottky SiC, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; SMD; 1,2kV; 10A.
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Precio unitario: 6,703€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C4D10120H |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Z-REC Series, Único, 1.2 kV, 31.5 A, 52 nC, TO-247 Rango de Producto: Z-REC Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 10A; 66W.
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Precio unitario: 9,778€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C4D15120D |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Z-Rec Series, Cátodo Común Doble, 1.2 kV, 24.5 A, 37 nC Rango de Producto: Z-Rec Series Configuración de Diodo: Cátodo Común Doble Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 2x7,5A.
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Precio unitario: 9,933€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 600 |