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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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DZTA42 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 300 V, 50 MHz, 1 W, 500 mA, 40 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 300V Frecuencia de Transición ft: 50MHz |
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Precio unitario: 0,160€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3598 |
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DZTA92 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -300 V, 50 MHz, 1 W, -500 mA, 25 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -300V Frecuencia de Transición ft: 50MHz |
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Precio unitario: 0,151€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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E3M0065090D |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, SiC, Canal N, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, 15 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V |
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Precio unitario: 9,472€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 575 |
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E3M0120090D |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, SiC, Canal N, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, 15 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 23A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V |
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Precio unitario: 6,043€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 562 |
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E3M0280090D |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, SiC, Canal N, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, 15 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V |
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Precio unitario: 3,327€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 563 |
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E4D20120A |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, E Series, Único, 1.2 kV, 54.5 A, 99 nC, TO-220 Rango de Producto: E Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 20A.
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Precio unitario: 14,467€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 42 |
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EC103D |
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Fabricado por:
Tiristor, 400 V, 200 µA, 510 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pines Corriente de Disparo de Puerta Máx. Igt: 200µA Corriente It Promedio: 510mA Corriente en Estado Conductor IT(rms): 800mA |
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Precio unitario: 0,202€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2000 |
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EC103D1 |
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Fabricado por:
Tiristor, 400 V, 12 µA, 510 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pines Corriente de Disparo de Puerta Máx. Igt: 12µA Corriente It Promedio: 510mA Corriente en Estado Conductor IT(rms): 800mA |
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Precio unitario: 0,228€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1862 |
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EC103D1WX |
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Fabricado por:
Tiristor, 400 V, 12 µA, 500 mA, 800 mA, SC-73, 3 Pines Corriente de Disparo de Puerta Máx. Igt: 12µA Corriente It Promedio: 500mA Corriente en Estado Conductor IT(rms): 800mA
Otros nombres: Tiristor; 400V; 0,5A; 0,8A; 12uA; Empaquetado: bobina,cinta; SMD.
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Precio unitario: 0,082€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 975 |
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ECH8310-TL-H |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -9 A, -30 V, 0.009 ohm, -10 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, ECH8310-TL-H, P-Canal, 9 A, 30 V, 8-Pin, ECH Simple Si.
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Precio unitario: 0,228€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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ECH8651R-TL-H |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 10 A, 24 V, 0.0105 ohm, 4.5 V, 1.3 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 24V |
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Precio unitario: 0,189€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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ECH8654-TL-H |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -5 A, -20 V, 0.029 ohm, -4.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET, ECH8654-TL-H Dual, P-Canal, 5 A, 20 V, 8-Pin, ECH.
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Precio unitario: 0,199€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2955 |
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ECH8659-TL-W |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 7 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 2.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, ECH8659-TL-W, Dual, N-Canal-Canal, 7 A, 30 V, 8-Pin, ECH8, SOT-28FL Aislado Si.
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Precio unitario: 0,214€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 578 |
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ECH8660-TL-H |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 4.5 A, 30 V, 0.045 ohm, 10 V, 2.6 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,167€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1393 |
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ECH8661-TL-H |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 7 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, ECH8661-TL-H, Dual, N/P-Canal, 5,5 A, 7 A, 30 V, 8-Pin, ECH Aislado Si.
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Precio unitario: 0,206€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5250 |