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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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EDZVT2R8.2B |
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Fabricado por:
Diodo Zener Simple, Plano Epitaxial, 8.2 V, 150 mW, SOD-523, 2 Pines, 150 °C Tensión Zener Vz Típica: 8.2V Disipación de Potencia Pd: 150mW Encapsulado del Diodo: SOD-523
Otros nombres: DZ11010.
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Precio unitario: 0,024€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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EDZVT2R9.1B |
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Fabricado por:
Diodo Zener Simple, 9.1 V, 150 mW, SC-79, 2 Pines, 150 °C Tensión Zener Vz Típica: 9.1V Disipación de Potencia Pd: 150mW Encapsulado del Diodo: SC-79 |
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Precio unitario: 0,023€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7400 |
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EFC4612R-S-TR |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: Canal N Doble Disipación de Potencia Pd: 1.6W Encapsulado del Transistor: WLCSP |
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Precio unitario: 0,094€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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EFC4619R-TR |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: Canal N Doble Disipación de Potencia Pd: 1.6W Encapsulado del Transistor: EFCP |
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Precio unitario: 0,096€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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EFC6601R-TR |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: Canal N Doble Disipación de Potencia Pd: 2W Encapsulado del Transistor: EFCP |
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Precio unitario: 0,178€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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EFC6602R-TR |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: Canal N Doble Disipación de Potencia Pd: 2W Encapsulado del Transistor: WLCSP |
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Precio unitario: 0,180€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4905 |
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EFC6611R-TF |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 1.3 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Tensión Umbral Vgs: 1.3V Disipación de Potencia Pd: 2.5W |
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Precio unitario: 0,263€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4998 |
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EFC8811R-TF |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 27 A, 12 V, 0.0023 ohm, 4.5 V, 1.3 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 27A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V |
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Precio unitario: 0,189€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4488 |
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EGF1B |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, 100 V, 1 A, Único, 1 V, 50 ns, 30 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 100V Corriente Directa If(AV): 1A Configuración de Diodo: Único
Otros nombres: Diodo, EGF1B, Recuperación rápida, 1A, 100V, 50ns, DO-214AC (SMA), 2-Pines, Conexión de silicio.
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Precio unitario: 0,114€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3514 |
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EGF1D |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, 200 V, 1 A, Único, 1 V, 50 ns, 30 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 200V Corriente Directa If(AV): 1A Configuración de Diodo: Único
Otros nombres: Diodo, EGF1D, Recuperación rápida, 1A, 200V, 50ns, DO-214AC (SMA), 2-Pines, Conexión de silicio.
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Precio unitario: 0,109€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 13471 |
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EGF1D-E3/67A |
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Fabricado por:
FAST DIODE, 1A, 200V, DO-214BA Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 200V Corriente Directa If(AV): 1A Configuración de Diodo: Single
Otros nombres: Diodo, EGF1D-E3/67A, 1A, 200V, 50ns, DO-214BA, 2-Pines, Conexión de silicio, Diodo: rectificador; SMD; 200V; 1A; 50ns; Empaquetado: bobina,cinta.
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Precio unitario: 0,285€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 119 |
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EGL41D-E3/96 |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, 200 V, 1 A, Único, 1 V, 50 ns, 30 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 200V Corriente Directa If(AV): 1A Configuración de Diodo: Único
Otros nombres: DSGL6660, Diodo de conmutación, EGL41D-E3/96 Conexión de silicio, DO-213AB, 2-Pines 1V.
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Precio unitario: 0,115€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 289 |
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EGL41G-E3/96 |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, 400 V, 1 A, Único, 1.25 V, 50 ns, 30 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 400V Corriente Directa If(AV): 1A Configuración de Diodo: Único
Otros nombres: Diodo de conmutación, EGL41G-E3/96 Conexión de silicio, DO-213AB, 2-Pines 1.25V, Diodo: rectificador; SMD; 400V; 1A; 50ns; Empaquetado: bobina,cinta.
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Precio unitario: 0,115€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 607 |
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EGP10G |
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Fabricado por:
Diodo de Recuperación Estándar, 400 V, 1 A, Único, 1.25 V, 50 ns, 30 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 400V Corriente Directa If(AV): 1A Configuración de Diodo: Único
Otros nombres: Diodo, EGP10G, Diodo, EGP10G, 1A, 400V, 50ns, DO-41, 2-Pines, Conexión de silicio.
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Precio unitario: 0,079€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 29700 |
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EGP20B |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, 100 V, 2 A, Único, 950 mV, 50 ns, 75 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 100V Corriente Directa If(AV): 2A Configuración de Diodo: Único |
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Precio unitario: 0,139€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4000 |