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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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F3L300R07PE4PBOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 280 A, 1.5 V, 20 mW, 650 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 280A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.5V |
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Precio unitario: 169,750€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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F3L400R12PT4B26BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 600 A, 1.75 V, 2.15 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 600A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 228,920€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4 |
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F3L50R06W1E3B11BOMA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.45 V, 175 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V |
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Precio unitario: 33,552€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 38 |
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F3L75R07W2E3B11BOMA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, EasyPACK 2B, Canal N, 75 A, 1.45 V, 250 W, 650 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V
Otros nombres: Módulo IGBT, F3L75R07W2E3B11BOMA1, N-Canal, 95 A, 650 V, EASY2B, 27-Pines, 1MHZ Serie.
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Precio unitario: 38,839€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7 |
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F4-50R06W1E3 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.45 V, 225 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V |
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Precio unitario: 20,952€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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F4100R12KS4BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 130 A, 3.2 V, 660 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 130A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V |
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Precio unitario: 133,860€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
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F4150R12KS4BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 180 A, 3.2 V, 960 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 180A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V
Otros nombres: Módulo IGBT, F4150R12KS4BOSA1, Puente, 180 A, 1.200 V, N-Canal, AG-ECONO3-4, Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT x2; 960W.
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Precio unitario: 182,360€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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F430R06W1E3 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 30 A, 1.55 V, 165 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 30A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V |
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Precio unitario: 17,373€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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F450R12KS4BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 70 A, 3.2 V, 355 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 70A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V |
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Precio unitario: 77,513€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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F475R06W1E3BOMA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.45 V, 275 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V |
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Precio unitario: 28,644€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 72 |
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F475R12KS4BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 3.2 V, 500 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V |
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Precio unitario: 97,970€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FAM65V05DF1 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 30,119€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FC6946010R |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 100 mA, 60 V, 6 ohm, 4 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 100mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, FC6946010R, Dual, N-Canal-Canal, 100 mA, 60 V, 6-Pin, SSMini6 F3 B FC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,038€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2559 |
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FCA35N60 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 600 V, 0.079 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 3,366€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FCB070N65S3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 44 A, 650 V, 0.062 ohm, 10 V, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 44A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: MOSFET, FCB070N65S3, N-Canal-Canal, 44 A, 650 V, 2 + Tab-Pin, D2PAK Simple.
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Precio unitario: 1,795€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3887 |