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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FFSP2065A |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 650 V, 20 A, 64 nC, TO-220 Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V Corriente Directa Continua If: 20A
Otros nombres: MOSFET, FFSP2065A, 2 + Tab-Pin, TO-220 Simple SiC.
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Precio unitario: 3,647€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 793 |
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FFSP3065A |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 650 V, 30 A, 100 nC, TO-220 Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V Corriente Directa Continua If: 30A
Otros nombres: Módulo de potencia SiC, FFSP3065A, 2 + Tab-Pin, TO-220 Simple SiC.
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Precio unitario: 6,111€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1241 |
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FFSPF1065A |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-220FP Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V Corriente Directa Continua If: 10A
Otros nombres: Diodo, FFSPF1065A, 10A, 650V, TO-220F, 2-Pines, Schottky SiC.
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Precio unitario: 1,804€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 988 |
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FFSPF2065A |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 650 V, 20 A, 64 nC, TO-220FP Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V Corriente Directa Continua If: 20A
Otros nombres: Diodo, FFSPF2065A, 20A, 650V, TO-220F, 2-Pines, Schottky SiC.
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Precio unitario: 3,667€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1000 |
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FG6943010R |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 100 mA, 30 V, 2 ohm, 4 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 100mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, FG6943010R, Dual, N/P-Canal, 100 mA, 30 V, 6-Pin, SSMini6 F3 B FG Aislado Si.
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Precio unitario: 0,048€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7277 |
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FGA15N120ANTDTU-F109 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 30 A, 2.3 V, 186 W, 1.2 kV, TO-3P, 3 Pines Corriente de Colector DC: 30A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.3V Disipación de Potencia Pd: 186W
Otros nombres: Transistor digital, FGA15N120ANTDTU-F109, 1200 V TO-3P, 3 pines, Simple.
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Precio unitario: 1,213€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2355 |
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FGA20S120M |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, Propósito General, 40 A, 1.2 kV, 348 W, 1.2 kV, TO-3PN, 3 Pines Corriente de Colector DC: 40A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV Disipación de Potencia Pd: 348W |
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Precio unitario: 2,192€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGA25N120ANTDTU |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 50 A, 2.5 V, 312 W, 1.2 kV, TO-3P, 3 Pines Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.5V Disipación de Potencia Pd: 312W
Otros nombres: IGBT, FGA25N120ANTDTU, N-Canal, 50 A, 1.200 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple.
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Precio unitario: 1,950€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11349 |
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FGA30T65SHD |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, Zanja de Parada de Campo, 60 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pines Corriente de Colector DC: 60A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.6V Disipación de Potencia Pd: 238W |
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Precio unitario: 1,562€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 446 |
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FGA50N100BNTD2 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 50 A, 2.5 V, 156 W, 1 kV, TO-3P, 3 Pines Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.5V Disipación de Potencia Pd: 156W |
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Precio unitario: 3,967€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 427 |
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FGA60N60UFDTU |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, Propósito General, 120 A, 600 V, 298 W, 600 V, TO-3PN, 3 Pines Corriente de Colector DC: 120A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 600V Disipación de Potencia Pd: 298W
Otros nombres: IGBT, FGA60N60UFDTU, N-Canal, 120 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines Simple.
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Precio unitario: 2,755€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGA60N65SMD |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 120 A, 1.9 V, 600 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pines Corriente de Colector DC: 120A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.9V Disipación de Potencia Pd: 600W
Otros nombres: IGBT, FGA60N65SMD, N-Canal, 120 A, 650 V, TO-3PN, 3-Pines Simple.
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Precio unitario: 2,056€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 188 |
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FGAF40N60UFTU |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, Propósito General, 40 A, 600 V, 100 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pines Corriente de Colector DC: 40A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 600V Disipación de Potencia Pd: 100W
Otros nombres: IGBT, FGAF40N60UFTU, N-Canal, 40 A, 600 V, TO-3PF, 3-Pines Simple.
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Precio unitario: 1,125€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 534 |
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FGAF40S65AQ |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 80 A, 1.6 V, 94 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pines Corriente de Colector DC: 80A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.6V Disipación de Potencia Pd: 94W
Otros nombres: IGBT, FGAF40S65AQ, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-3PF, 3-Pines 1 Simple.
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Precio unitario: 1,416€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 317 |
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FGB40T65SPD-F085 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, Canal N, 80 A, 2 V, 267 W, 650 V, TO-263AB, 3 Pines Corriente de Colector DC: 80A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V Disipación de Potencia Pd: 267W |
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Precio unitario: 1,581€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 240 |