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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FJX2222ATF |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 40 V, 300 MHz, 325 mW, 600 mA, 35 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Frecuencia de Transición ft: 300MHz
Otros nombres: TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.6A, SC-70-3, Transistor, FJX2222ATF, NPN 600 mA 40 V HFE:35 SOT-323 (SC-70), 3 pines, 300 MHz,, Transistor, Fairchild, FJX2222ATF.
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Precio unitario: 0,025€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9000 |
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FJY3002R |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Frecuencia de Transición ft: 250MHz |
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Precio unitario: 0,031€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1865 |
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FK3303010L |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 mA, 30 V, 2 ohm, 4 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, FK3303010L, N-Canal-Canal, 100 mA, 30 V, 3-Pin, SSSMini3 F2 B FK Simple Si.
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Precio unitario: 0,030€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10795 |
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FK3503010L |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 mA, 30 V, 2 ohm, 4 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, FK3503010L, N-Canal-Canal, 100 mA, 30 V, 3-Pin, SMini3 F2 B FK Simple Si.
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Precio unitario: 0,037€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 996 |
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FK3506010L |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 mA, 60 V, 6 ohm, 4 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,044€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6786 |
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FLC01-200H |
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Fabricado por:
Tiristor, 4 A, TO-251, 3 Pines Corriente It Promedio: 4A Encapsulado del Tiristor: TO-251 Número de Pines: 3Pines
Otros nombres: Tiristor SCR, FLC01-200H, 600V, 5mA, IPAK (TO-251), 3-Pines, Tiristor, FLC01-200H, 600V, 5mA, IPAK (TO-251), 3-Pines.
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Precio unitario: 0,337€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3897 |
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FLLD261 |
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Fabricado por:
Diodo de Señal Pequeña, Serie doble, 100 V, 250 mA, 1.4 V, 400 ns, 3 A Configuración de Diodo: Serie doble Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 100V Corriente Directa If(AV): 250mA
Otros nombres: Diodo, FLLD261, Nivel de fugas bajo, 600mA, 400ns, SOT-23 (TO-236AB), 3-Pines.
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Precio unitario: 0,038€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 38528 |
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FMA4AT148 |
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Fabricado por:
Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, PNP Doble, 50 V, -100 mA, 10 kohm Polaridad de Transistor Digital: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente Continua de Colector Ic: -100mA
Otros nombres: Transistor digital FMA4AT148, PNP, -100 mA -50 V 10 kΩ SOT-25, 5 pines Dual.
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Precio unitario: 0,085€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FMB2222A |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, 40 V, 700 mW, 500 mA, 35 hFE, SuperSOT Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 700mW
Otros nombres: Transistor, FMB2222A, NPN 500 mA 40 V Dual SOT-23, 6 pines, 300 MHz, Aislado.
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Precio unitario: 0,071€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5434 |
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FMB2227A |
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Fabricado por:
Amplificador de Propósito General, NPN, PNP, 30 V, 700 mW, 500 mA, 50, SuperSOT Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 30V Disipación de Potencia Pd: 700mW |
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Precio unitario: 0,094€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10068 |
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FMB2907A |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, PNP Doble, -60 V, 700 mW, -600 mA, 50 hFE, SSOT Polaridad de Transistor: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -60V Disipación de Potencia Pd: 700mW |
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Precio unitario: 0,078€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FMB3904 |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, 40 V, 700 mW, 200 mA, 40 hFE, SOT-23 Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 700mW
Otros nombres: Transistor, FMB3904, NPN 200 mA 40 V Dual SOT-23, 6 pines, 250 MHz, Aislado.
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Precio unitario: 0,069€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10000 |
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FMB3906 |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, PNP, -40 V, 700 mW, -200 mA, 60 hFE, SuperSOT Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -40V Disipación de Potencia Pd: 700mW
Otros nombres: Transistor, FMB3906, PNP 200 mA 40 V Dual SOT-23, 6 pines, 200 MHz, Aislado.
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Precio unitario: 0,070€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2900 |
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FMB3946 |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, PNP, 40 V, 700 mW, 200 mA, 30 hFE, SuperSOT Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 700mW
Otros nombres: Transistor, FMB3946, NPN + PNP 200 mA 40 V HFE:100 Dual SOT-23, 6 pines, 200 MHz,.
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Precio unitario: 0,065€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3000 |
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FMB5551 |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 160 V, 700 mW, 600 mA, 30 hFE, SuperSOT Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 160V Disipación de Potencia Pd: 700mW |
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Precio unitario: 0,075€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3000 |