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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FNB81060T3 |
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Fabricado por:
Módulo Inteligente de Potencia (IPM), IGBT, 1.5 kV, SPM25-FAA, SPM8 |
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Precio unitario: 9,427€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FNB81560T3 |
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Fabricado por:
Módulo Inteligente de Potencia (IPM), 3 Fases, IGBT, 600 V, 15 A, 1500 Vrms, SPMFA-A, SPM8 |
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Precio unitario: 8,488€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FP100R06KE3BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.45 V, 335 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V |
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Precio unitario: 101,850€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FP100R12KT4B11BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.75 V, 515 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 136,770€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9 |
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FP100R12KT4BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.75 V, 515 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 144,530€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14 |
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FP10R12W1T4BOMA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 20 A, 1.85 V, 105 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 20A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
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Precio unitario: 28,373€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 148 |
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FP10R12W1T4PB11BPSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, 10 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module Corriente de Colector DC: 10A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 1.2kV |
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Precio unitario: 23,532€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 30 |
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FP10R12W1T4PBPSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, 10 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module Corriente de Colector DC: 10A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 1.2kV |
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Precio unitario: 22,882€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FP10R12W1T7B11BOMA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, 1.2 kV, Module Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 1.2kV Encapsulado del Transistor: Module Temperatura de Funcionamiento Máx.: 175°C |
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Precio unitario: 26,510€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 17 |
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FP150R12KT4BPSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, 150 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 1.2kV |
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Precio unitario: 205,640€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7 |
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FP150R12KT4PB11BPSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, 150 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 1.2kV |
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Precio unitario: 211,460€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6 |
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FP150R12KT4PBPSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, 150 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 1.2kV |
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Precio unitario: 211,460€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6 |
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FP15R06W1E3BOMA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 22 A, 1.55 V, 81 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 22A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V |
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Precio unitario: 25,492€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 37 |
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FP15R12KE3GBOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 25 A, 1.7 V, 105 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 25A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
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Precio unitario: 50,644€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14 |
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FP15R12KT3BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 25 A, 1.7 V, 105 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 25A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
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Precio unitario: 48,608€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 21 |