Inicio » Semiconductores - Discretos
Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
FP75R12KT4B15BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
|
Precio unitario: 114,460€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5 |
|
|
FP75R12KT4BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
|
Precio unitario: 114,460€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9 |
|
|
FP75R12KT4PBPSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
|
Precio unitario: 112,520€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6 |
|
|
FPAB20BH60B |
|
Fabricado por:
Módulo Inteligente de Potencia (IPM), IGBT, 600 V, 20 A, 2.5 kV, SPMIC, SPM3
Otros nombres: Circuito prerregulador de factor de potencia FPAB20BH60B, 20 kHz SPMIC, 27 pines.
|
|
Precio unitario: 11,989€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FPAB30BH60B |
|
Fabricado por:
Módulo Inteligente de Potencia (IPM), IGBT, 600 V, 30 A, 2.5 kV, SPMIC, SPM3
Otros nombres: Circuito prerregulador de factor de potencia FPAB30BH60B, 20 kHz SPMIC, 27 pines.
|
|
Precio unitario: 9,438€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FPAM50LH60 |
|
Fabricado por:
|
|
Precio unitario: 23,426€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FPDB30PH60 |
|
Fabricado por:
Módulo Inteligente de Potencia (IPM), SPM, IGBT, 600 V, 30 A, 2.5 kV, SPMCA-027 Dispositivo de Alimentación IPM: IGBT Tensión Nominal (Vces / Vdss): 600V Corriente Nominal (Ic / Id): 30A |
|
Precio unitario: 10,447€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FPDB40PH60B |
|
Fabricado por:
Módulo Inteligente de Potencia (IPM), IGBT, 600 V, 40 A, 2.5 kV, SPMGC-027, SPM3
Otros nombres: Módulo IGBT, FPDB40PH60B, N-Canal, 40 A, 600 V, SPM27 GC, 27-Pines, 20kHz.
|
|
Precio unitario: 13,978€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FPDB50PH60 |
|
Fabricado por:
Módulo Inteligente de Potencia (IPM), SPM, IGBT, 600 V, 50 A, 2500 Vrms, SPMHA-027, SPM3 |
|
Precio unitario: N/D Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FPF1C2P5BF07A |
|
Fabricado por:
Módulo Inteligente de Potencia (IPM), SPM, MOSFET, 650 V, 36 A, 2.5 kV, Módulo |
|
Precio unitario: 44,783€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FPF1C2P5MF07AM |
|
Fabricado por:
Módulo Inteligente de Potencia (IPM), SPM, IGBT, MOSFET, 620 V, 39 A, 2.5 kV, Módulo Dispositivo de Alimentación IPM: IGBT, MOSFET Tensión Nominal (Vces / Vdss): 620V Corriente Nominal (Ic / Id): 39A |
|
Precio unitario: 34,775€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
|
|
FQA10N80C-F109 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10 A, 800 V, 0.93 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
|
Precio unitario: 1,513€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 209 |
|
|
FQA11N90C-F109 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 11 A, 900 V, 0.91 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V
Otros nombres: MOSFET, FQA11N90C_F109, N-Canal, 11 A, 900 V, 3-Pin, TO-3PN.
|
|
Precio unitario: 1,164€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FQA13N80-F109 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12.6 A, 800 V, 0.58 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V
Otros nombres: MOSFET, FQA13N80_F109, N-Canal, 12.6 A, 800 V, 3-Pin, TO-3PN.
|
|
Precio unitario: 1,959€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FQA140N10 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 140 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 140A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, FQA140N10, N-Canal-Canal, 140 A, 100 V, 3-Pin, TO-3PN QFET Simple Si.
|
|
Precio unitario: 1,795€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |