Inicio » Semiconductores - Discretos
Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
FR30G02 |
|
Fabricado por:
Módulo de Diodos, Silicio, 400 V, 30 A, 1.4 V, Simple, FR30G Series Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 400V Corriente Directa If(AV): 30A Tensión Directa VF Máx.: 1.4V |
|
Precio unitario: 2,978€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FR30GR02 |
|
Fabricado por:
Módulo de Diodos, Silicio, 400 V, 30 A, 1.4 V, Simple, FR30G Series |
|
Precio unitario: N/D Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FR85J02 |
|
Fabricado por:
Módulo de Diodos, Silicio, 600 V, 85 A, 1.4 V, Simple, FR85J Series |
|
Precio unitario: N/D Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FS0203NN00RB |
|
Fabricado por:
Tiristor, 800 V, 200 µA, 800 mA, 1.25 A, SOT-223, 4 Pines Corriente de Disparo de Puerta Máx. Igt: 200µA Corriente It Promedio: 800mA Corriente en Estado Conductor IT(rms): 1.25A |
|
Precio unitario: 0,165€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 76 |
|
|
FS0802MD00TR |
|
Fabricado por:
Tiristor, 600 V, 200 µA, 5 A, 8 A, TO-252AA, 3 Pines Corriente de Disparo de Puerta Máx. Igt: 200µA Corriente It Promedio: 5A Corriente en Estado Conductor IT(rms): 8A |
|
Precio unitario: 0,293€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 77 |
|
|
FS100R06KE3BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.45 V, 335 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V |
|
Precio unitario: 89,609€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6 |
|
|
FS100R12KE3BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 140 A, 1.7 V, 480 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 140A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
|
Precio unitario: 128,040€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 40 |
|
|
FS100R12KT3BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.7 V, 480 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
|
Precio unitario: 122,220€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
|
|
FS100R12KT4GB11BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.75 V, 515 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
|
Precio unitario: 118,340€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FS100R12KT4GBOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.75 V, 515 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: Módulo IGBT, FS100R12KT4GBOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, AG-ECONO3-4 Trifásico.
|
|
Precio unitario: 117,370€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 65 |
|
|
FS100R12W2T7B11BOMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, 1.2 kV, Module Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 1.2kV Encapsulado del Transistor: Module Temperatura de Funcionamiento Máx.: 175°C |
|
Precio unitario: 62,313€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 24 |
|
|
FS100R17KE3BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 145 A, 2 V, 555 W, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 145A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
|
Precio unitario: 134,830€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FS100R17N3E4BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.95 V, 600 W, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V |
|
Precio unitario: 142,590€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
|
|
FS10R06VE3B2BOMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 16 A, 1.55 V, 50 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 16A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V
Otros nombres: Módulo IGBT, FS10R06VE3B2BOMA1, N-Canal, 16 A, 600 V, EASY750, 15-Pines, 1MHZ Trifásico.
|
|
Precio unitario: 13,793€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 64 |
|
|
FS1209ND00TR |
|
Fabricado por:
Tiristor, 800 V, 15 mA, 8 A, 12 A, TO-252AA, 3 Pines Corriente de Disparo de Puerta Máx. Igt: 15mA Corriente It Promedio: 8A Corriente en Estado Conductor IT(rms): 12A |
|
Precio unitario: 0,340€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |