Inicio » Semiconductores - Discretos
Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
FS5030QP00TU |
|
Fabricado por:
Tiristor, 1.2 kV, 80 mA, 50 A, TO-247, 3 Pines Corriente de Disparo de Puerta Máx. Igt: 80mA Corriente en Estado Conductor IT(rms): 50A Encapsulado del Tiristor: TO-247
Otros nombres: Tiristor SCR, FS5030QP00TU, 1200V, 50A, 80mA, TO-3P, 3+Tab-Pines.
|
|
Precio unitario: 2,357€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 74 |
|
|
FS50R06W1E3 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.45 V, 205 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V
Otros nombres: IGBT2947.
|
|
Precio unitario: 26,287€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FS50R12KT3BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
|
Precio unitario: 63,428€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FS50R12KT4B11BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.85 V, 280 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V
Otros nombres: Módulo IGBT, FS50R12KT4B11BOSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, ECONO2, 25-Pines, 1MHZ Trifásico.
|
|
Precio unitario: 62,478€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11 |
|
|
FS50R12KT4B15BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Sixpack, Canal N, 50 A, 1.85 V, 280 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V
Otros nombres: Módulo IGBT, FS50R12KT4B15BOSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, ECONO2, 28-Pines, 1MHZ Trifásico, Módulo IGBT, FS50R12KT4B15BOSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, Econo2, 28-Pines, 1MHZ Trifásico.
|
|
Precio unitario: 62,992€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 18 |
|
|
FS50R12W2T4BOMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 83 A, 1.85 V, 335 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 83A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
|
Precio unitario: 40,614€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FS50R12W2T4_B11 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.85 V, 335 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V
Otros nombres: IGBT2722.
|
|
Precio unitario: 36,530€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FS75R12KE3BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 105 A, 1.7 V, 20 mW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 105A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V
Otros nombres: Módulo IGBT, FS75R12KE3BOSA1, N-Canal, 105 A, 1.200 V, EconoPACK 2, 28-Pines Trifásico, Módulo IGBT, FS75R12KE3BOSA1, N-Canal, 105 A, 1.200 V, EconoPACK2, 28-Pines Trifásico.
|
|
Precio unitario: 93,295€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 19 |
|
|
FS75R12KE3GBOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.7 V, 355 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V
Otros nombres: Módulo IGBT, FS75R12KE3GBOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, ECONO3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico, Módulo IGBT, FS75R12KE3GBOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, Econo3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico.
|
|
Precio unitario: 94,517€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 15 |
|
|
FS75R12KT3BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 105 A, 1.7 V, 355 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 105A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
|
Precio unitario: 87,416€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5 |
|
|
FS75R12KT3GBOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.7 V, 355 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
|
Precio unitario: 97€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FS75R12KT4B11BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
|
Precio unitario: 86,660€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9 |
|
|
FS75R12KT4B15BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V
Otros nombres: Módulo IGBT, FS75R12KT4B15BOSA1, N-Canal, 75 A, 1.200 V, ECONO2, 28-Pines, 1MHZ Trifásico, Módulo IGBT, FS75R12KT4B15BOSA1, N-Canal, 75 A, 1.200 V, Econo2, 28-Pines, 1MHZ Trifásico.
|
|
Precio unitario: 88,483€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FS75R12W2T4B11BOMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 107 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 107A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V
Otros nombres: Módulo IGBT, FS75R12W2T4B11BOMA1, Colector común, 107 A, 1.200 V, N-Canal, EASY2B, 33-Pines, Módulo IGBT, FS75R12W2T4B11BOMA1, Colector común, 107 A, 1.200 V, N-Canal, EASY2B, 33-Pines Trifásico.
|
|
Precio unitario: 49,196€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FS800R07A2E3B31BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 700 A, 1.3 V, 1.55 kW, 650 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 700A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.3V |
|
Precio unitario: 643,110€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |