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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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GC2X10MPS12-247 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, MPS Series, Cátodo Común Doble, 1.2 kV, 100 A, 80 nC, TO-247 Rango de Producto: MPS Series Configuración de Diodo: Cátodo Común Doble Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 2x10A.
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Precio unitario: 11,048€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 82 |
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GC2X15MPS12-247 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, MPS Series, Cátodo Común Doble, 1.2 kV, 150 A, 132 nC, TO-247 Rango de Producto: MPS Series Configuración de Diodo: Cátodo Común Doble Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 2x15A.
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Precio unitario: 14,240€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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GC2X20MPS12-247 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, MPS Series, Cátodo Común Doble, 1.2 kV, 180 A, 158 nC, TO-247 Rango de Producto: MPS Series Configuración de Diodo: Cátodo Común Doble Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 2x20A.
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Precio unitario: 19,022€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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GC2X5MPS12-247 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, MPS Series, Cátodo Común Doble, 1.2 kV, 54 A, 44 nC, TO-247 Rango de Producto: MPS Series Configuración de Diodo: Cátodo Común Doble Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 2x5A.
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Precio unitario: 6,625€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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GC2X8MPS12-247 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, MPS Series, Cátodo Común Doble, 1.2 kV, 80 A, 66 nC, TO-247 Rango de Producto: MPS Series Configuración de Diodo: Cátodo Común Doble Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 2x8A.
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Precio unitario: 8,866€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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GC50MPS12-247 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, MPS Series, Único, 1.2 kV, 212 A, 199 nC, TO-247 Rango de Producto: MPS Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 50A.
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Precio unitario: 22,658€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 30 |
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GD100HFY120C1S |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 155 A, 2 V, 511 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 155A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 30,662€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
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GD150HFY120C1S |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 230 A, 2 V, 746 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 230A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 38,237€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 21 |
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GD200HFY120C2S |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 309 A, 2 V, 1.006 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 309A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 59,413€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7 |
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GD225HFY120C6S |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 368 A, 2 V, 1.229 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 368A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 70,189€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8 |
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GD300HFY120C2S |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 600 A, 2 V, 2.941 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 600A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 81,732€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
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GD300HFY120C6S |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 480 A, 2 V, 1.613 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 480A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 94,906€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 13 |
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GD400HFY120C2S |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 630 A, 2 V, 2.083 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 630A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 95,894€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14 |
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GD450HFY120C2S |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 680 A, 2 V, 2.173 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 680A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 103,790€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7 |
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GD450HFY120C6S |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 680 A, 2 V, 2.173 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 680A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 114,460€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5 |