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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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HER603G |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, 200 V, 6 A, Único, 1 V, 50 ns, 150 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 200V Corriente Directa If(AV): 6A Configuración de Diodo: Único |
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Precio unitario: 0,282€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1630 |
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HFA08TB60PBF |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, 600 V, 8 A, Único, 1.7 V, 55 ns, 60 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V Corriente Directa If(AV): 8A Configuración de Diodo: Único
Otros nombres: Diodo: rectificador; THT; 600V; 8A; tubo; TO220AC; Ufmax: 1,7V; 14W.
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Precio unitario: 0,435€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5730 |
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HFA15PB60PBF |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, 600 V, 15 A, Único, 1.7 V, 60 ns, 150 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V Corriente Directa If(AV): 15A Configuración de Diodo: Único |
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Precio unitario: 1,154€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1511 |
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HFA15TB60PBF |
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Fabricado por:
Otros nombres: Diodo: rectificador; THT; 600V; 15A; Empaquetado: tubo; TO220AC.
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Precio unitario: 0,562€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 431 |
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HFA3096BZ |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, PNP, 8 V, 150 mW, 37 mA, 130 hFE, SOIC Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 8V Disipación de Potencia Pd: 150mW
Otros nombres: Transistor, HFA3096BZ, NPN + PNP 65 mA 8 V Pent SOIC, 16 pines, 5500 (PNP) MHz, 8000 (NPN) MHz, Aislado.
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Precio unitario: 3,354€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 124 |
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HFA3101BZ |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, 8 V, 30 mA, 70 hFE, SOIC Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 8V Corriente de Colector DC: 30mA
Otros nombres: Transistor, HFA3101BZ, NPN 30 mA 8 V Hex SOIC, 8 pines, 10000 MHz, Complejo.
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Precio unitario: 3,521€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 865 |
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HFA3127BZ |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, 8 V, 150 mW, 37 mA, 130 hFE, SOIC Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 8V Disipación de Potencia Pd: 150mW
Otros nombres: Transistor, HFA3127BZ, NPN 65 mA 8 V HFE:40 Pent SOIC, 16 pines, 8.000 MHz,, Transistor, HFA3127BZ, NPN 65 mA 8 V Pent SOIC, 16 pines, 8.000 MHz, Aislado.
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Precio unitario: 4,598€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6 |
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HFA3128BZ |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, PNP, 12 V, 150 mW, 37 mA, 60 hFE, SOIC Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 12V Disipación de Potencia Pd: 150mW |
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Precio unitario: 3,250€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 330 |
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HFA3134IHZ96 |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, 9 V, 26 mA, 48 hFE, SOT-23 Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 9V Corriente de Colector DC: 26mA |
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Precio unitario: 2,697€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1890 |
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HGT1S10N120BNST |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pines Corriente de Colector DC: 35A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.45V Disipación de Potencia Pd: 298W
Otros nombres: IGBT, HGT1S10N120BNST, N-Canal, 80 A, 1.200 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines, 1MHZ Simple, Transistor: IGBT; 1,2kV; 17A; 298W; D2PAK.
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Precio unitario: 1,174€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 710 |
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HGTD1N120BNS9A |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pines Corriente de Colector DC: 5.3A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.5V Disipación de Potencia Pd: 60W
Otros nombres: Transistor: IGBT; 1200V; 2,7A; 60W; TO252AA.
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Precio unitario: 0,558€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 26037 |
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HGTG11N120CND |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 43A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.4V Disipación de Potencia Pd: 298W
Otros nombres: Transistor: IGBT; 1,2kV; 22A; 298W; TO247-3.
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Precio unitario: 1,542€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 623 |
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HGTG12N60A4D |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 54 A, 2.7 V, 167 W, 600 V, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 54A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.7V Disipación de Potencia Pd: 167W
Otros nombres: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 167W; TO247-3.
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Precio unitario: 1,736€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 16004 |
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HGTG12N60C3D |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 24 A, 1.8 V, 104 W, 600 V, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 24A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.8V Disipación de Potencia Pd: 104W
Otros nombres: Transistor: IGBT; 600V; 12A; 104W; TO247-3.
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Precio unitario: 2,687€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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HGTG18N120BND |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 54A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.7V Disipación de Potencia Pd: 390W
Otros nombres: IGBT, HGTG18N120BND, N-Canal, 54 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple.
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Precio unitario: 3,162€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2019 |