Inicio » Semiconductores - Discretos
Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
HN1B01FDW1T1G |
|
Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, PNP, 50 V, 380 mW, 200 mA, 200 hFE, SC-74 Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 380mW |
|
Precio unitario: 0,030€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5835 |
|
|
HN2D02FUTW1T1G |
|
Fabricado por:
Diodo de Señal Pequeña, Triple Aislado, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A Configuración de Diodo: Triple Aislado Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 85V Corriente Directa If(AV): 100mA
Otros nombres: Diodo de conmutación, HN2D02FUTW1T1G, 100mA, 80V Conexión de silicio, SOT-363 (SC-88), 6-Pines 1.2V.
|
|
Precio unitario: 0,054€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4670 |
|
|
HP8K24TB |
|
Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 27 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 27A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
|
Precio unitario: 0,387€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2465 |
|
|
HP8MA2TB1 |
|
Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 18 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 18A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, HP8MA2TB1 Dual N/P-Canal, 8-Pin, HSOP, MOSFET, HP8MA2TB1, Dual, N/P-Canal, 15 (canal P) A.
|
|
Precio unitario: 0,308€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1582 |
|
|
HSMP-3814-TR1G |
|
Fabricado por:
Diodo Pin / de RF, Atenuador, Cátodo Común, 3 ohm, 100 V, SOT-23, 3 Pines, 0.35 pF Configuración de Diodo: Cátodo Común Resistencia a Corriente If: 3ohm Tensión de Ruptura (Vbr): 100V |
|
Precio unitario: 0,432€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
HSMP-3820-TR1G |
|
Fabricado por:
Diodo Pin / de RF, Conmutación, Único, 0.6 ohm, 50 V, SOT-23, 3 Pines, 0.8 pF Configuración de Diodo: Único Resistencia a Corriente If: 0.6ohm Tensión de Ruptura (Vbr): 50V |
|
Precio unitario: 0,171€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 703 |
|
|
HSMP-3822-TR1G |
|
Fabricado por:
Diodo Pin / de RF, Conmutación, Serie doble, 0.6 ohm, 50 V, SOT-23, 3 Pines, 0.8 pF Configuración de Diodo: Serie doble Resistencia a Corriente If: 0.6ohm Tensión de Ruptura (Vbr): 50V |
|
Precio unitario: 0,213€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
HSMP-3832-BLKG |
|
Fabricado por:
Diodo Pin / de RF, Serie doble, 1.5 ohm, 200 V, SOT-23, 3 Pines, 0.3 pF Configuración de Diodo: Serie doble Resistencia a Corriente If: 1.5ohm Tensión de Ruptura (Vbr): 200V |
|
Precio unitario: 0,474€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5 |
|
|
HSMP-3866-BLKG |
|
Fabricado por:
Diodo Pin / de RF, 3 ohm, 50 V, SOT-25, 5 Pines, 0.22 pF Resistencia a Corriente If: 3ohm Tensión de Ruptura (Vbr): 50V Encapsulado del Diodo: SOT-25 |
|
Precio unitario: 0,584€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
HSMP-4820-BLKG |
|
Fabricado por:
Diodo Pin / de RF, Limitador, Anodo Común Doble, 0.6 ohm, 50 V, SOT-23, 3 Pines, 1.2 pF Configuración de Diodo: Anodo Común Doble Resistencia a Corriente If: 0.6ohm Tensión de Ruptura (Vbr): 50V |
|
Precio unitario: 0,323€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2 |
|
|
HSMP-482B-BLKG |
|
Fabricado por:
Diodo Pin / de RF, Limitador, Único, 0.6 ohm, 50 V, SOT-323, 3 Pines, 1.2 pF Configuración de Diodo: Único Resistencia a Corriente If: 0.6ohm Tensión de Ruptura (Vbr): 50V |
|
Precio unitario: 0,335€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
HUF75339P3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 75 A, 55 V, 0.012 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 75A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V
Otros nombres: MOSFET, HUF75339P3, N-Canal-Canal, 75 A, 55 V, 3-Pin, TO-220AB UltraFET Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,789€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1386 |
|
|
HUF75344G3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 75 A, 55 V, 0.0065 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 75A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V
Otros nombres: MOSFET, HUF75344G3, N-Canal-Canal, 75 A, 55 V, 3-Pin, TO-247 UltraFET Simple Si.
|
|
Precio unitario: 1,407€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 867 |
|
|
HUF75345G3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Propósito General, Canal N, 75 A, 55 V, 0.007 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 75A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V
Otros nombres: MOSFET, HUF75345G3, N-Canal-Canal, 75 A, 55 V, 3-Pin, TO-247 UltraFET Simple Si.
|
|
Precio unitario: 1,494€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
HUF75345P3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 75 A, 55 V, 0.006 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 75A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V
Otros nombres: MOSFET, HUF75345P3, N-Canal-Canal, 75 A, 55 V, 3-Pin, TO-220AB UltraFET Simple Si.
|
|
Precio unitario: 1,339€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1065 |