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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IAUT300N08S5N012ATMA2 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 300 A, 80 V, 0.001 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 300A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 2,687€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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IAUT300N08S5N014ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 300 A, 80 V, 0.0011 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 300A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 2,483€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1112 |
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IAUT300N10S5N015ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 300 A, 100 V, 0.0013 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 300A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IAUT300N10S5N015ATMA1, N-Canal-Canal, 300 A, 100 V, 8-Pin, PEAJE (HSOF-8) OptiMOS 5.
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Precio unitario: 3,482€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1428 |
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IDB15E60ATMA1 |
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Fabricado por:
Diodo de Recuperación Estándar, 600 V, 29.2 A, Único, 2 V, 87 ns, 60 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V Corriente Directa If(AV): 29.2A Configuración de Diodo: Único |
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Precio unitario: 0,794€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IDB30E60ATMA1 |
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Fabricado por:
Diodo de Recuperación Estándar, 600 V, 52.3 A, Único, 2 V, 126 ns, 117 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V Corriente Directa If(AV): 52.3A Configuración de Diodo: Único |
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Precio unitario: 1,426€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1980 |
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IDD03SG60CXTMA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 3G 600V, Simple, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 Rango de Producto: Serie thinQ 3G 600V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V |
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Precio unitario: 0,755€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IDD04SG60CXTMA2 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ 3G 600V Series, Único, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252 Rango de Producto: thinQ 3G 600V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V |
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Precio unitario: 1,019€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1464 |
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IDD06E60BUMA1 |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, 600 V, 14.7 A, Único, 2 V, 70 ns, 29 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V Corriente Directa If(AV): 14.7A Configuración de Diodo: Único |
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Precio unitario: 0,268€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 220 |
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IDD09SG60C |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 3G 600V, Simple, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 Rango de Producto: Serie thinQ 3G 600V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; SMD; 600V; 9A; 115W.
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Precio unitario: 2,006€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IDD10SG60C |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 3G 600V, Único, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252 Rango de Producto: Serie thinQ 3G 600V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; SMD; 600V; 10A; 120W.
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Precio unitario: 3,078€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 415 |
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IDDD04G65C6XTMA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, CoolSiC 6G 650V Series, Único, 650 V, 13 A, 6.9 nC, HDSOP Rango de Producto: CoolSiC 6G 650V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; SMD; 650V; 4A; 56W.
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Precio unitario: 0,810€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 83 |
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IDDD06G65C6XTMA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, CoolSiC 6G 650V Series, Único, 650 V, 18 A, 9.6 nC, HDSOP Rango de Producto: CoolSiC 6G 650V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; SMD; 650V; 6A; 73W.
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Precio unitario: 1,116€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 470 |
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IDDD08G65C6XTMA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, CoolSiC 6G 650V Series, Único, 650 V, 24 A, 12.2 nC, HDSOP Rango de Producto: CoolSiC 6G 650V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; SMD; 650V; 8A; 90W.
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Precio unitario: 1,484€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 477 |
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IDDD10G65C6XTMA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, CoolSiC 6G 650V Series, Único, 650 V, 29 A, 14.7 nC, HDSOP Rango de Producto: CoolSiC 6G 650V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; SMD; 650V; 10A; 105W.
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Precio unitario: 1,853€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 480 |
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IDDD12G65C6XTMA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, CoolSiC 6G 650V Series, Único, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP Rango de Producto: CoolSiC 6G 650V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; SMD; 650V; 12A; 120W.
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Precio unitario: 2,231€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 454 |