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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IDH16G120C5XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ 5G 1200V Series, Único, 1.2 kV, 40 A, 57 nC, TO-220 Rango de Producto: thinQ 5G 1200V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo, IDH16G120C5XKSA1, 40A, 1200V Schottky SiC, TO-220, 2 + Tab-Pines 2.85V, Schottky SiC, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 16A.
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Precio unitario: 6,344€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 409 |
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IDH16G65C6XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, CoolSiC 6G 650V Series, Único, 650 V, 34 A, 21.5 nC, TO-220 Rango de Producto: CoolSiC 6G 650V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V |
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Precio unitario: 2,978€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 758 |
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IDH20G120C5XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ Series, Único, 1.2 kV, 56 A, 82 nC, TO-220 Rango de Producto: thinQ Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo, IDH20G120C5XKSA1, 56A, 1200V Schottky SiC, TO-220, 2 + Tab-Pines 2.6V, Schottky SiC, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 20A.
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Precio unitario: 8,497€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 496 |
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IDH20G65C6XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, CoolSiC 6G 650V Series, Único, 650 V, 41 A, 26.8 nC, TO-220 Rango de Producto: CoolSiC 6G 650V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V |
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Precio unitario: 3,861€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 386 |
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IDM02G120C5XTMA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ Series, Único, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 Rango de Producto: thinQ Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; SMD; 1,2kV; 2A; 98W.
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Precio unitario: 1,213€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1834 |
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IDM05G120C5XTMA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ 5G 1200V Series, Único, 1.2 kV, 22.2 A, 24 nC, TO-252 Rango de Producto: thinQ 5G 1200V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV |
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Precio unitario: 2,241€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2511 |
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IDM08G120C5XTMA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ 5G 1200V Series, Único, 1.2 kV, 27 A, 28 nC, TO-252 Rango de Producto: thinQ 5G 1200V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV |
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Precio unitario: 3,220€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2310 |
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IDM10G120C5XTMA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ 5G 1200V Series, Único, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 Rango de Producto: thinQ 5G 1200V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV |
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Precio unitario: 4,045€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 206 |
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IDP08E65D2XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo de Recuperación Estándar, 650 V, 15 A, Único, 1.6 V, 30 ns, 100 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V Corriente Directa If(AV): 15A Configuración de Diodo: Único
Otros nombres: Diodo de conmutación, IDP08E65D2XKSA1 Conexión de silicio, TO-220, 2-Pines 2.2V.
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Precio unitario: 0,520€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9 |
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IDP15E60XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo de Recuperación Estándar, 600 V, 29.2 A, Único, 2 V, 60 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V Corriente Directa If(AV): 29.2A Configuración de Diodo: Único
Otros nombres: Diodo de conmutación, IDP15E60XKSA1 Conexión de silicio, TO-220, 2-Pines 2V.
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Precio unitario: 0,623€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1225 |
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IDP15E65D1XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo de Recuperación Estándar, 650 V, 15 A, Único, 1.35 V, 71 ns, 120 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V Corriente Directa If(AV): 15A Configuración de Diodo: Único
Otros nombres: Diodo, IDP15E65D1XKSA1, Conmutación, 30A, 650V, 146ns, TO-220, 2-Pines, Diodo: conmutador; THT; 650V; 15A; TO220-2.
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Precio unitario: 0,563€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IDP15E65D2XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo de Recuperación Estándar, 650 V, 15 A, Único, 1.6 V, 30 ns, 100 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V Corriente Directa If(AV): 15A Configuración de Diodo: Único
Otros nombres: Diodo: conmutador; THT; 650V; 15A; TO220-2.
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Precio unitario: 0,562€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 213 |
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IDP30E65D1XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, 650 V, 60 A, Único, 1.7 V, 64 ns, 180 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V Corriente Directa If(AV): 60A Configuración de Diodo: Único
Otros nombres: Diodo, IDP30E65D1XKSA1, Conmutación, 60A, 650V, TO-220, 2 + Tab-Pines 1.7V.
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Precio unitario: 0,755€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1029 |
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IDV02S60C |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 2G 600V, Simple, 600 V, 2 A, 3.2 nC, TO-220FP Rango de Producto: Serie thinQ 2G 600V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V |
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Precio unitario: 0,757€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IDV03S60C |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 2G 600V, Simple, 600 V, 3 A, 5 nC, TO-220FP Rango de Producto: Serie thinQ 2G 600V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V |
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Precio unitario: 1,048€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 577 |