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Diodos

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SKU	Nombre de producto	Datasheet	Entrega y precio
IMM101T015MXUMA1	Fabricado por: `Módulo Inteligente de Potencia (IPM), MOSFET, 500 V, 1 A, 1.5 kV, PQFN, iMOTION` `Módulos Inteligentes de Potencia` Módulo Inteligente de Potencia (IPM), MOSFET, 500 V, 1 A, 1.5 kV, PQFN, iMOTION	-	Precio unitario: 4,126€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
IMM101T046MXUMA1	Fabricado por: `Módulo Inteligente de Potencia (IPM), MOSFET, 600 V, 4 A, 1.5 kV, PQFN, iMOTION` `Módulos Inteligentes de Potencia` Módulo Inteligente de Potencia (IPM), MOSFET, 600 V, 4 A, 1.5 kV, PQFN, iMOTION	-	Precio unitario: 4,579€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
IMM101T056MXUMA1	Fabricado por: `Módulo Inteligente de Potencia (IPM), Baja Frecuencia, MOSFET, 600 V, 4 A, 1.5 kV, PQFN, iMOTION` `Módulos Inteligentes de Potencia` Módulo Inteligente de Potencia (IPM), Baja Frecuencia, MOSFET, 600 V, 4 A, 1.5 kV, PQFN, iMOTION	-	Precio unitario: 4,925€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
IMM102T015MXUMA1	Fabricado por: `Módulo Inteligente de Potencia (IPM), MOSFET, 500 V, 1 A, 1.5 kV, PQFN, iMOTION` `Módulos Inteligentes de Potencia` Módulo Inteligente de Potencia (IPM), MOSFET, 500 V, 1 A, 1.5 kV, PQFN, iMOTION	-	Precio unitario: 4,753€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
IMM102T046MXUMA1	Fabricado por: `Módulo Inteligente de Potencia (IPM), MOSFET, 600 V, 4 A, 1.5 kV, PQFN, iMOTION` `Módulos Inteligentes de Potencia` Módulo Inteligente de Potencia (IPM), MOSFET, 600 V, 4 A, 1.5 kV, PQFN, iMOTION	-	Precio unitario: 5,180€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
IMM102T056MXUMA1	Fabricado por: `Módulo Inteligente de Potencia (IPM), MOSFET, 600 V, 4 A, 1.5 kV, PQFN, iMOTION` `Módulos Inteligentes de Potencia` Módulo Inteligente de Potencia (IPM), MOSFET, 600 V, 4 A, 1.5 kV, PQFN, iMOTION	-	Precio unitario: 5,203€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
IMN10FHT108	Fabricado por: `Rohm` `Diodos de Pequeña Señal` Diodo de Señal Pequeña, Triple Aislado, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 4 A Configuración de Diodo: Triple Aislado Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 80V Corriente Directa If(AV): 100mA		Precio unitario: 0,122€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2720
IMN11FHT110	Fabricado por: `Rohm` `Diodos de Pequeña Señal` Diodo de Señal Pequeña, AEC-Q101, Doble con Cátodo Común, 80 V, 1.2 V, 4 ns Configuración de Diodo: Doble con Cátodo Común Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 80V Tensión Directa VF Máx.: 1.2V		Precio unitario: 0,070€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 100
IMP11FHT110	Fabricado por: `Rohm` `Diodos de Pequeña Señal` Diodo de Señal Pequeña, AEC-Q101, Doble con Ánodo Común, 80 V, 1.2 V, 4 ns Configuración de Diodo: Doble con Ánodo Común Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 80V Tensión Directa VF Máx.: 1.2V		Precio unitario: 0,125€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
IMT1AT110	Fabricado por: `Rohm` `Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)` Array de Transistores Bipolares, Doble, PNP, 50 V, 300 mW, -150 mA, 120 hFE, SOT-457 Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 300mW		Precio unitario: 0,268€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2340
IMT2AT108	Fabricado por: `Rohm` `Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)` Array de Transistores Bipolares, PNP, 50 V, 300 mW, -150 mA, 120 hFE, SOT-457 Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 300mW		Precio unitario: 0,102€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
IMX1T110	Fabricado por: `Rohm` `Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)` Array de Transistores Bipolares, NPN, 50 V, 300 mW, 150 mA, 120 hFE, SC-74 Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 300mW Otros nombres: Transistor, IMX1T110, NPN 150 mA 50 V Dual Montaje superficial, 6 pines, 180 MHz, Aislado.		Precio unitario: 0,056€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
IMZ1AT108	Fabricado por: `Rohm` `Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)` Array de Transistores Bipolares, Doble, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-457 Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 300mW		Precio unitario: 0,069€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 175
IPA030N10N3GXKSA1	Fabricado por: `Infineon` `Transistores MOSFET Simples` Transistor MOSFET, Canal N, 79 A, 100 V, 0.0026 ohm, 10 V, 2.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 79A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V Otros nombres: MOSFET, IPA030N10N3GXKSA1, N-Canal-Canal, 79 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 OptiMOS 3 Simple Si, MOSFET, IPA030N10N3GXKSA1, N-Canal-Canal, 79 A, 100 V, 3-Pin, TO-220FP OptiMOS 3 Simple Si.		Precio unitario: 2,367€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1281
IPA032N06N3GXKSA1	Fabricado por: `Infineon` `Transistores MOSFET Simples` Transistor MOSFET, Canal N, 84 A, 60 V, 0.0026 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 84A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V Otros nombres: MOSFET, IPA032N06N3GXKSA1, N-Canal-Canal, 84 A, 60 V, 3-Pin, TO-220FP OptiMOS 3 Simple Si.		Precio unitario: 1,222€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí