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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IXYH50N120C3 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 100 A, 3.1 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pines Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.1V Disipación de Potencia Pd: 750W
Otros nombres: IGBT, IXYH50N120C3, N-Canal, 100 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 50kHz Simple.
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Precio unitario: 4,530€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXYH82N120C3 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 82 A, 3.2 V, 1.25 kW, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pines Corriente de Colector DC: 82A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V Disipación de Potencia Pd: 1.25kW
Otros nombres: IGBT, IXYH82N120C3, N-Canal, 200 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 50kHz Simple.
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Precio unitario: 8,245€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 84 |
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IXYN100N120B3H1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 165 A, 2.6 V, 690 W, 1.2 kV, SOT-227B Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 165A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.6V
Otros nombres: IGBT, IXYN100N120B3H1, N-Canal, 165 A, 1.200 V, SOT-227B, 4-Pines, 5 to 30kHz Simple.
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Precio unitario: 18,576€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXYN100N120C3H1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 134 A, 3.5 V, 690 W, 1.2 kV, SOT-227B Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 134A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.5V
Otros nombres: IGBT, IXYN100N120C3H1, N-Canal, 134 A, 1.200 V, SOT-227B, 4-Pines, 20 to 50kHz Simple.
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Precio unitario: 25,705€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXYN82N120C3H1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 105 A, 3.2 V, 500 W, 1.2 kV, SOT-227B Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 105A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V
Otros nombres: IGBT, IXYN82N120C3H1, N-Canal, 105 A, 1.200 V, SOT-227B, 4-Pines, 20 to 50kHz Simple.
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Precio unitario: 23,367€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXYX100N120B3 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 225 A, 2.2 V, 1.15 kW, 1.2 kV, PLUS247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 225A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.2V Disipación de Potencia Pd: 1.15kW
Otros nombres: IGBT, IXYX100N120B3, N-Canal, 225 A, 1.200 V, PLUS247, 3-Pines, 30kHz Simple.
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Precio unitario: 10,883€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 52 |
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IXZ308N120 |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Disipación de Potencia Pd: 880W |
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Precio unitario: 52,254€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14 |
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IXZR08N120A |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, 1.2 kV, 8 A, 250 W, ISOPLUS247 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Disipación de Potencia Pd: 250W |
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Precio unitario: 28,887€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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J105 |
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Fabricado por:
Transistor JFET, JFET, -25 V, 500 mA, 10 V, TO-92, JFET Tensión de Ruptura (Vbr): -25V Tensión Máx. de Corte Vgs(off) Puerta-Fuente: 10V Encapsulado del Transistor: TO-92
Otros nombres: JFET, J105, N-Canal, Único, TO-92, 3-Pines.
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Precio unitario: 0,194€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3738 |
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J106 |
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Fabricado por:
Transistor JFET, JFET, -25 V, 200 mA, -6 V, TO-92, JFET Tensión de Ruptura (Vbr): -25V Tensión Máx. de Corte Vgs(off) Puerta-Fuente: -6V Encapsulado del Transistor: TO-92 |
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Precio unitario: 0,221€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8988 |
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J107 |
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Fabricado por:
Transistor JFET, JFET, -25 V, 100 mA, 100 mA, 4.5 V, TO-92, JFET Tensión de Ruptura (Vbr): -25V Tensión Máx. de Corte Vgs(off) Puerta-Fuente: 4.5V Encapsulado del Transistor: TO-92
Otros nombres: JFET, J107, N-Canal, Único, TO-92, 3-Pines.
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Precio unitario: 0,221€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 372 |
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J109 |
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Fabricado por:
Transistor JFET, JFET, -25 V, 40 mA, 6 V, TO-92, JFET Tensión de Ruptura (Vbr): -25V Tensión Máx. de Corte Vgs(off) Puerta-Fuente: 6V Encapsulado del Transistor: TO-92
Otros nombres: JFET, J109, N-Canal, Único, TO-92, 3-Pines Simple.
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Precio unitario: 0,107€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9045 |
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J111 |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, 35 V, 625 mW, TO-92 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 35V Disipación de Potencia Pd: 625mW Encapsulado del Transistor RF: TO-92
Otros nombres: JFET, J111, N-Canal, Único, TO-92, 3-Pines Simple.
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Precio unitario: 0,067€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8595 |
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J111-D26Z |
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Fabricado por:
Transistor JFET, JFET, -35 V, 20 mA, -10 V, TO-226AA, JFET Tensión de Ruptura (Vbr): -35V Tensión Máx. de Corte Vgs(off) Puerta-Fuente: -10V Encapsulado del Transistor: TO-226AA |
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Precio unitario: 0,066€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 315 |
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J111.. |
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Fabricado por:
Transistor JFET, JFET, 35 V, 20 mA, 10 V, TO-92, JFET Tensión de Ruptura (Vbr): 35V Tensión Máx. de Corte Vgs(off) Puerta-Fuente: 10V Encapsulado del Transistor: TO-92 |
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Precio unitario: 0,066€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 562 |