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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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LS4150GS08 |
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Fabricado por:
Diodo de Señal Pequeña, QuadroMELF, Único, 50 V, 300 mA, 1 V, 4 ns, 4 A Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 50V Corriente Directa If(AV): 300mA
Otros nombres: Diodo, LS4150GS08, Conmutación, 600mA, 50V, 4ns, Quadro Melf, 2-Pines, Conexión de silicio, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SMD; 50V; 600mA; 4ns.
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Precio unitario: 0,016€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2500 |
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LS4448GS08 |
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Fabricado por:
Diodo de Señal Pequeña, AEC-Q101, Único, 100 V, 150 mA, 1 V, 8 ns, 2 A Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 100V Corriente Directa If(AV): 150mA
Otros nombres: DSGL6585, Diodo de pequeña señal, LS4448GS08, 150mA, 100V Conexión de silicio, Quadro Melf, 2-Pines 1V, Diodo de pequeña señal, LS4448GS08, 150mA, 100V, Quadro Melf, 2-Pines 1V, Diodo: conmutador; SMD; 100V; 0,15A; 8ns; Empaquetado: bobina,cinta.
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Precio unitario: 0,017€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 88340 |
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LSIC1MO120E0120 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 27 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, 20 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 27A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 18A; 139W; TO247-3.
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Precio unitario: 11,116€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 400 |
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LSIC2SD120A05 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 1.2 kV, 17.5 A, 30 nC, TO-220 Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV Corriente Directa Continua If: 17.5A
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 5A.
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Precio unitario: 2,677€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 100 |
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LSIC2SD120A10 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 1.2 kV, 28 A, 57 nC, TO-220 Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV Corriente Directa Continua If: 28A
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 10A; 59W.
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Precio unitario: 5,354€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 128 |
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LSIC2SD120C05 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 1.2 kV, 18.1 A, 30 nC, TO-252 Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV Corriente Directa Continua If: 18.1A
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; SMD; 1,2kV; 5A.
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Precio unitario: 2,658€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 97 |
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LSIC2SD120C10 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 1.2 kV, 33 A, 30 nC, TO-252 Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV Corriente Directa Continua If: 33A
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; SMD; 1,2kV; 10A.
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Precio unitario: 5,306€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 86 |
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LXA03B600 |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, Qspeed, 600 V, 3 A, Único, 3.1 V, 20 ns, 23 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V Corriente Directa If(AV): 3A Configuración de Diodo: Único |
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Precio unitario: 0,309€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 790 |
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LXA03D530 |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, Qspeed, 530 V, 3 A, Único, 1.71 V, 34.3 ns, 25 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 530V Corriente Directa If(AV): 3A Configuración de Diodo: Único |
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Precio unitario: 0,226€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5000 |
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LXA03T600 |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, Qspeed, 600 V, 3 A, Único, 3.1 V, 20 ns, 23 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V Corriente Directa If(AV): 3A Configuración de Diodo: Único |
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Precio unitario: 0,315€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 45 |
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LXA04B600 |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, Qspeed, 600 V, 4 A, Único, 2.96 V, 18.5 ns, 30 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V Corriente Directa If(AV): 4A Configuración de Diodo: Único |
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Precio unitario: 0,353€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 755 |
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LXA04T600 |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, Qspeed, 600 V, 4 A, Único, 2.96 V, 18.5 ns, 30 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V Corriente Directa If(AV): 4A Configuración de Diodo: Único |
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Precio unitario: 0,360€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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LXA06B600 |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, Qspeed, 600 V, 6 A, Único, 2.94 V, 23 ns, 50 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V Corriente Directa If(AV): 6A Configuración de Diodo: Único |
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Precio unitario: 0,433€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 580 |
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LXA06T600 |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, Qspeed, 600 V, 6 A, Único, 2.94 V, 23 ns, 50 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V Corriente Directa If(AV): 6A Configuración de Diodo: Único |
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Precio unitario: 0,429€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 119 |
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LXA08B600 |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, Qspeed, 600 V, 8 A, Único, 2.94 V, 34 ns, 60 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V Corriente Directa If(AV): 8A Configuración de Diodo: Único |
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Precio unitario: 0,512€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 500 |