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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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MW6S004NT1 |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, 68 VDC, 1 MHz, 2000 MHz, PLD-1.5 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 68VDC Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1MHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 2000MHz
Otros nombres: RF MOSFET, N CHANNEL, 68V, 466-03, FULL REEL.
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Precio unitario: 5,791€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 387 |
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MW6S010GNR1 |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, 68 VDC, 450 MHz, 1500 MHz, TO-270 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 68VDC Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 450MHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 1500MHz |
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Precio unitario: 11,048€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 140 |
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MW6S010NR1 |
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Fabricado por:
Transistor RF FET, 68 V, 450 MHz, 1.5 GHz, TO-270 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 68V Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.5GHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 450MHz |
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Precio unitario: 10,874€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 260 |
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MW7IC915NT1 |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, 698 MHz, 960 MHz, PQFN Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 698MHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 960MHz Encapsulado del Transistor RF: PQFN
Otros nombres: Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 728-960 MHz, 1.6 W Avg., 28 V / TR REEL 13.
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Precio unitario: 20,874€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 890 |
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MW7IC930NBR1 |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, 65 V, 728 MHz, 960 MHz, TO-272WB Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65V Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 728MHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 960MHz |
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Precio unitario: 27,713€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 399 |
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MW7IC930NR1 |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, 65 V, 728 MHz, 960 MHz, TO-270WB Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65V Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 728MHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 960MHz |
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Precio unitario: 24,735€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 500 |
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NBRD5H100T4G |
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Fabricado por:
Rectificador Schottky, 100 V, 5 A, Único, TO-252, 3 Pines, 710 mV Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 100V Corriente Directa If(AV): 5A Configuración de Diodo: Único
Otros nombres: Diodo, NBRD5H100T4G, 5A, 100V, DPAK (TO-252), 3-Pines.
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Precio unitario: 0,546€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1231 |
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NBRS2H100T3G |
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Fabricado por:
Rectificador Schottky, 100 V, 2 A, Único, DO-214AA, 2 Pines, 790 mV Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 100V Corriente Directa If(AV): 2A Configuración de Diodo: Único |
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Precio unitario: 0,182€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1740 |
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NCV1413BDR2G |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente de Colector DC: 500mA
Otros nombres: Par Darlington, NCV1413BDR2G, NPN 500 mA, 50 V, HFE:1000, SOIC, 16 pines Emisor común.
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Precio unitario: 0,174€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2475 |
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NCV8402ADDR2G |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, AEC-Q101, Canal N Doble, 2 A, 42 V, 0.165 ohm, 10 V, 1.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 42V
Otros nombres: AEC-Q100 Controlador de periféricos NCV8402ADDR2G, SOIC 8 pines, MOSFET Doble, AEC-Q100, Canal N Doble, 2 A, 42 V, 0.165 ohm, 10 V, 1.8 V.
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Precio unitario: 0,362€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8162 |
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NCV8402ASTT1G |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, AEC-Q101, Canal N, 2 A, 42 V, 0.165 ohm, 10 V, 1.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 42V
Otros nombres: Driver de puerta MOSFET NCV8402ASTT1G, SOT-223 3 + Tab pines.
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Precio unitario: 0,259€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 766 |
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NCV8402ASTT3G |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.37 A, 42 V, 0.165 ohm, 10 V, 1.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.37A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 42V
Otros nombres: Driver de puerta MOSFET NCV8402ASTT3G, SOT-223 3 + Tab pines.
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Precio unitario: 0,205€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2354 |
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NCV8405ADTRKG |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 42 V, 0.09 ohm, 10 V, 1.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 42V
Otros nombres: Driver de puerta MOSFET NCV8405ADTRKG, 6 A DPAK 3 pines.
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Precio unitario: 0,338€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 70 |
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NCV8405ASTT1G |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 42 V, 0.09 ohm, 10 V, 1.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 42V
Otros nombres: AEC-Q101 Controlador de periféricos NCV8405ASTT1G, SOT-223 4 pines.
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Precio unitario: 0,338€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 595 |
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NCV8440ASTT1G |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.6 A, 52 V, 0.095 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 52V
Otros nombres: Transistor digital, NCV8440ASTT1G, SOT-223, 3 + Tab pines.
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Precio unitario: 0,339€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1213 |