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Mostrando 3826 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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MBT2222ADW1T1G |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, Canal N, 40 V, 150 mW, 600 mA, 35 hFE, SC-70 Polaridad de Transistor: Canal N Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 150mW
Otros nombres: Array de Transistores Bipolares, Propósito General, NPN, 40 V, 150 mW, 600 mA, 35 hFE, SOT-363, Transistor, MBT2222ADW1T1G, NPN 600 mA 40 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 100 MHz, Aislado.
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Precio unitario: 0,025€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 13855 |
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MBT3904DW1T1G |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, Propósito General, NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 300 hFE, SOT-363 Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 150mW
Otros nombres: Array de Transistores Bipolares, Propósito General, NPN Doble, 40 V, 150 mW, 200 mA, 30 hFE.
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Precio unitario: 0,033€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 38889 |
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MBT3904DW1T1H |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 40 V, 150 mW, 200 mA, 30 hFE, SOT-363 Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 150mW |
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Precio unitario: 0,027€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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MBT3904DW1T3G |
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Fabricado por:
TRANSISTOR ARRAY, DUAL NPN, 40V, SOT-363 Polaridad de Transistor: Dual NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 150mW
Otros nombres: Transistor, MBT3904DW1T3G, NPN 200 mA 40 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 100 MHz, Aislado.
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Precio unitario: 0,049€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 17430 |
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MBT3946DW1T1G |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, Propósito General, NPN, PNP, 40 V, 150 mW, 200 mA, 250 hFE Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 150mW
Otros nombres: Transistor, MBT3946DW1T1G, NPN + PNP 200 mA 40 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 100 MHz, Aislado, Transistor: NPN / PNP; bipolar; par complementario; 40V; 0,2A.
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Precio unitario: 0,024€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 17488 |
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MBT3946DW1T2G |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, PNP, 40 V, 150 mW, 200 mA, 100 hFE, SC-88 Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 150mW
Otros nombres: Transistor: NPN / PNP; bipolar; par complementario; 40V; 200mA.
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Precio unitario: 0,024€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6600 |
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MBT6429DW1T1G |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 45 V, 150 mW, 200 mA, 500 hFE, SC-88 Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 45V Disipación de Potencia Pd: 150mW |
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Precio unitario: 0,024€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 19709 |
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MC1413BDG |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, Darlington, NPN, 2 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 2V Corriente de Colector DC: 500mA
Otros nombres: Par Darlington, MC1413BDG, NPN 500 mA, 50 V, HFE:1000, SOIC, 16 pines Emisor común, Trans Darlington NPN 50V 0.5A SOIC16.
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Precio unitario: 0,156€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 876 |
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MC1413BDR2G |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, 1.1 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 1.1V Corriente de Colector DC: 500mA
Otros nombres: Darlington Array NPN 50V 500mA SOIC16, IC: driver; darlington,matriz de transistores; SO16; 0,5A; 50V, Par Darlington, MC1413BDR2G, NPN 500 mA, 50 V, HFE:1000, SOIC, 16 pines Emisor común.
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Precio unitario: 0,154€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1995 |
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MC1413BPG |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente de Colector DC: 500mA |
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Precio unitario: 0,163€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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MC1413DG |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente de Colector DC: 500mA
Otros nombres: Driver; darlington,matriz de transistores; 0,5A; 50V; Canales: 7.
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Precio unitario: 0,146€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 632 |
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MC1413DR2G |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, 1.1 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 1.1V Corriente de Colector DC: 500mA |
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Precio unitario: 0,145€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1790 |
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MC1413PG |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente de Colector DC: 500mA
Otros nombres: Darlington Array x7 NPN 50V 0.5A PDIP16, Par Darlington, MC1413PG, NPN 500 mA, 2 V, HFE:1000, PDIP, 16 pines Emisor común.
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Precio unitario: 0,315€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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MCH4009-TL-H |
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Fabricado por:
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 3.5 V, 25 GHz, 120 mW, 40 mA, 50 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 3.5V Frecuencia de Transición ft: 25GHz |
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Precio unitario: 0,078€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5806 |
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MCH4015-TL-H |
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Fabricado por:
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, 60 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 12V Frecuencia de Transición ft: 10GHz |
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Precio unitario: 0,103€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |