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Mostrando 3826 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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NSVF5501SKT3G |
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Fabricado por:
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, 100 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 10V Frecuencia de Transición ft: 5.5GHz
Otros nombres: Transistor, NSVF5501SKT3G, NPN 70 mA 10 V SOT-623, 3 pines, 1 GHz, Simple.
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Precio unitario: 0,113€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8000 |
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NSVF6003SB6T1G |
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Fabricado por:
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, 100 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 12V Frecuencia de Transición ft: 7GHz
Otros nombres: Transistor, NSVF6003SB6T1G, NPN 150 mA 12 V CPH, 6 pines, 7 GHz, Simple.
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Precio unitario: 0,186€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2995 |
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NSVMMBT2222AM3T5G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 40 V, 300 MHz, 640 mW, 600 mA, 35 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Frecuencia de Transición ft: 300MHz |
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Precio unitario: 0,038€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7575 |
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NSVMMBT5401WT1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -150 V, 100 MHz, 400 mW, -500 mA, 50 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -150V Frecuencia de Transición ft: 100MHz |
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Precio unitario: 0,029€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11990 |
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NSVMMBT6429LT1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 45 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 500 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 45V Frecuencia de Transición ft: 700MHz |
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Precio unitario: 0,061€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5165 |
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NSVMMBTH10LT1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 60 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 25V Frecuencia de Transición ft: 650MHz
Otros nombres: Transistor, NSVMMBTH10LT1G, NPN 500 mA 25 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple.
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Precio unitario: 0,080€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1970 |
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NSVMMUN2235LT1G |
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Fabricado por:
Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, NPN Simple, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 Relación Polaridad de Transistor Digital: NPN Simple Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente Continua de Colector Ic: 100mA
Otros nombres: Transistor digital, NSVMMUN2235LT1G, NPN 50 V dc SOT-23, 3 pines, Simple.
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Precio unitario: 0,037€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2510 |
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NSVMUN5111DW1T3G |
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Fabricado por:
Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, PNP Doble, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Relación Polaridad de Transistor Digital: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -50V Corriente Continua de Colector Ic: -100mA |
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Precio unitario: 0,069€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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NSVMUN5211DW1T3G |
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Fabricado por:
Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, NPN Doble, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Relación Polaridad de Transistor Digital: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente Continua de Colector Ic: 100mA |
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Precio unitario: 0,067€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 18944 |
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NSVMUN531335DW1T1G |
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Fabricado por:
Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, Complemento NPN y PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm Polaridad de Transistor Digital: Complemento NPN y PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente Continua de Colector Ic: 100mA
Otros nombres: Transistor digital, NSVMUN531335DW1T1G, NPN + PNP 50 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines.
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Precio unitario: 0,078€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1890 |
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NSVT65010MW6T1G |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, AEC-Q101, PNP Doble, -65 V, 380 mW, -100 mA, 0.9 hFE, SOT-363 Polaridad de Transistor: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -65V Disipación de Potencia Pd: 380mW |
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Precio unitario: 0,060€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2801 |
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NSVT65011MW6T1G |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, AEC-Q101, NPN Doble, 65 V, 380 mW, 100 mA, 300 hFE, SOT-363 Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 65V Disipación de Potencia Pd: 380mW |
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Precio unitario: 0,060€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2739 |
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NTE102A |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: PNP Disipación de Potencia Pd: 650mW Corriente de Colector DC: 1A
Otros nombres: Transistor: PNP; bipolar; germanio; 32V; 1A; 650mW; TO1.
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Precio unitario: 6,237€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 38 |
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NTE103 |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 24V Disipación de Potencia Pd: 150mW
Otros nombres: Transistor: NPN; bipolar; germanio; 24V; 150mA; 150mW; TO5.
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Precio unitario: 7,906€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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NTE104 |
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Fabricado por:
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -35V, TO-3 Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -35V Frecuencia de Transición ft: 300kHz
Otros nombres: Transistor: PNP; bipolar; germanio; 35V; 10A; 90W; TO3.
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Precio unitario: 23,008€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3 |