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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
MRFX600GSR5
MRFX600GSR5

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 179 V, 1.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, NI-780GS

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 179V Disipación de Potencia Pd: 1.333kW Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.8MHz

Precio unitario: 100,880€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 50
MRFX600HR5
MRFX600HR5

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 179 V, 1.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, NI-780H

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 179V Disipación de Potencia Pd: 1.333kW Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.8MHz

Precio unitario: 101,850€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 50
MRFX600HSR5
MRFX600HSR5

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 179 V, 1.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, NI-780S

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 179V Disipación de Potencia Pd: 1.333kW Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.8MHz

Precio unitario: 99,910€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 50
MW6S004NT1
MW6S004NT1

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 68 VDC, 1 MHz, 2000 MHz, PLD-1.5

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 68VDC Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1MHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 2000MHz

Otros nombres: RF MOSFET, N CHANNEL, 68V, 466-03, FULL REEL.

Precio unitario: 5,791€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 387
MW6S010GNR1
MW6S010GNR1

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 68 VDC, 450 MHz, 1500 MHz, TO-270

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 68VDC Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 450MHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 1500MHz

Precio unitario: 11,048€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 140
MW6S010NR1
MW6S010NR1

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor RF FET, 68 V, 450 MHz, 1.5 GHz, TO-270

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 68V Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.5GHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 450MHz

Precio unitario: 10,874€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 260
MW7IC915NT1
MW7IC915NT1

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 698 MHz, 960 MHz, PQFN

Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 698MHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 960MHz Encapsulado del Transistor RF: PQFN

Otros nombres: Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 728-960 MHz, 1.6 W Avg., 28 V / TR REEL 13.

Precio unitario: 20,874€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 890
MW7IC930NBR1
MW7IC930NBR1

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 65 V, 728 MHz, 960 MHz, TO-272WB

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65V Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 728MHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 960MHz

Precio unitario: 27,713€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 399
MW7IC930NR1
MW7IC930NR1

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 65 V, 728 MHz, 960 MHz, TO-270WB

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65V Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 728MHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 960MHz

Precio unitario: 24,735€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 500
NTE454
NTE454

Fabricado por: Nte Electronics

Transistores FET de RF

DUAL GATE RF MOSFET, N CHANNEL 20V, TO72

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V Corriente de Drenaje Continua Id: 60mA Disipación de Potencia Pd: 360mW

Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 60mA; 360mW; TO72; THT.

Precio unitario: 14,925€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 7
PD20010-E
PD20010-E

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 40 V, 5 A, 59 W, 2 GHz, PowerSO-10RF

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V Corriente de Drenaje Continua Id: 5A Disipación de Potencia Pd: 59W

Precio unitario: 9,846€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 267
PD20015-E
PD20015-E

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 40 V, 7 A, 79 W, 2 GHz, PowerSO-10RF

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Disipación de Potencia Pd: 79W

Precio unitario: 14,346€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 54
PD55003-E
PD55003-E

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 40 V, 2.5 A, 31.7 W, 1 GHz, PowerSO-10RF

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V Corriente de Drenaje Continua Id: 2.5A Disipación de Potencia Pd: 31.7W

Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2,5A; 31,7W; SO10RF; SMT.

Precio unitario: 6,082€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 3898
PD55008-E
PD55008-E

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, LdmoST, Canal N, 40 V, 4 A, 52.8 W, PowerSO-10RF

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V Corriente de Drenaje Continua Id: 4A Disipación de Potencia Pd: 52.8W

Precio unitario: 8,400€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 127
PD55015-E
PD55015-E

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 40 V, 5 A, 73 W, 480 MHz, 520 MHz, PowerSO-10RF

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V Corriente de Drenaje Continua Id: 5A Disipación de Potencia Pd: 73W

Otros nombres: MOSFET, PD55015-E, N-Canal-Canal, 5 A, 40 V, 10-Pin, PowerSO Simple Si.

Precio unitario: 11,689€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí