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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FQB30N06LTM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 32 A, 60 V, 0.027 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 32A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, FQB30N06LTM, N-Canal-Canal, 32 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,488€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 885 |
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FQB33N10LTM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 33 A, 100 V, 0.039 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 33A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, FQB33N10LTM, N-Canal-Canal, 33 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,589€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FQB33N10TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 100 V, 0.04 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, FQB33N10TM, N-Canal-Canal, 33 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,549€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 319 |
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FQB34N20LTM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 31 A, 200 V, 0.075 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 31A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: MOSFET, FQB34N20LTM, N-Canal-Canal, 31 A, 200 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,930€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 389 |
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FQB34P10TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -33.5 A, -100 V, 0.049 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -33.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -100V
Otros nombres: MOSFET, FQB34P10TM, P-Canal, 33 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) Simple Si, P CHANNEL MOSFET, -100V, 33.5mA, FULL REEL.
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Precio unitario: 0,989€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 657 |
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FQB47P06TM-AM002 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 47 A, -60 V, 0.026 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 47A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: MOSFET, FQB47P06TM-AM002, P-Canal, 47 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) Simple Si.
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Precio unitario: 1,193€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 301 |
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FQB50N06 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 60 V, 0.022 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,412€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FQB50N06LTM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 52.4 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 52.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, FQB50N06LTM, N-Canal-Canal, 52 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,578€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FQB55N10 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 55 A, 100 V, 0.026 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 55A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 1,038€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 762 |
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FQB55N10TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 55 A, 100 V, 0.021 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 55A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, FQB55N10TM, N-Canal-Canal, 55 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 1,028€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1362 |
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FQB5N50CTM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5 A, 500 V, 1.14 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V
Otros nombres: MOSFET, FQB5N50CTM, N-Canal-Canal, 5 A, 500 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,512€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 798 |
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FQB5N90TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5.4 A, 900 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V
Otros nombres: Transistor digital, FQB5N90TM, D2PAK, 2 + Tab pines, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3,42A; 158W; D2PAK.
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Precio unitario: 0,872€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 148 |
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FQB6N80TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5.8 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V
Otros nombres: MOSFET, FQB6N80TM, N-Canal-Canal, 5,8 A, 800 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) QFET Simple Si, MOSFET, FQB6N80TM, N-Canal-Canal, 5.8 A, 800 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,881€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 32 |
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FQB7P20TM |
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Fabricado por:
MOSFET, P CHANNEL, -200V, 0.54OHM, -7.3A, TO-263-3, FULL REEL Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -7.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -200V
Otros nombres: MOSFET, FQB7P20TM, P-Canal, 7,3 A, 200 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) Simple Si, MOSFET, FQB7P20TM, P-Canal, 7.3 A, 200 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) Simple Si.
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Precio unitario: 0,800€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1600 |
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FQB7P20TM-F085 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -7.3 A, -200 V, 0.54 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -7.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -200V |
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Precio unitario: 1,009€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 727 |