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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FQD1N80TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1 A, 800 V, 15.5 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V
Otros nombres: MOSFET, FQD1N80TM, N-Canal-Canal, 1 A, 800 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,281€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1150 |
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FQD20N06TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16.8 A, 60 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, FQD20N06TM, N-Canal-Canal, 17 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,292€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7312 |
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FQD2N100TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.6 A, 1 kV, 7.1 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1kV
Otros nombres: MOSFET, FQD2N100TM, N-Canal-Canal, 1,6 A, 1.000 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) QFET Simple Si, MOSFET, FQD2N100TM, N-Canal-Canal, 1.6 A, 1000 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,409€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FQD2N60CTM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.9 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,306€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 385 |
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FQD2N90TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.7 A, 900 V, 5.6 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V |
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Precio unitario: 0,382€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2500 |
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FQD2P40TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -1.56 A, -400 V, 5 ohm, -10 V, -5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -1.56A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -400V |
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Precio unitario: 0,317€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1835 |
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FQD30N06LTM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 24 A, 60 V, 0.039 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 24A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,323€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FQD3N60CTM-WS |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.4 A, 600 V, 2.8 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,315€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2500 |
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FQD3P50TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -2.1 A, -500 V, 3.9 ohm, -10 V, -5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -2.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -500V
Otros nombres: MOSFET, FQD3P50TM, P-Canal, 1,33 A, 500 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,419€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 710 |
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FQD4P25TM-WS |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -3.1 A, -250 V, 1.63 ohm, -10 V, -5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -3.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -250V |
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Precio unitario: 0,265€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FQD4P40TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -2.7 A, -400 V, 2.44 ohm, -10 V, -5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -2.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -400V |
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Precio unitario: 0,405€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 137 |
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FQD5N20LTM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3.8 A, 200 V, 0.94 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V |
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Precio unitario: 0,186€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2500 |
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FQD5N60CTM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.8 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, FQD5N60CTM, N-Canal-Canal, 2,8 A, 600 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,332€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 472 |
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FQD5P10TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -3.6 A, -100 V, 0.82 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -3.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -100V
Otros nombres: MOSFET, FQD5P10TM, P-Canal, 2,3 A, 100 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,185€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 433 |
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FQD5P20TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -3.7 A, -200 V, 1.1 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -3.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -200V
Otros nombres: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2,34A; 45W; DPAK.
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Precio unitario: 0,223€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1440 |