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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPN80R4K5P7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.5 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 0,337€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2960 |
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IPN80R600P7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 800 V, 0.51 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 0,534€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2935 |
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IPN80R900P7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 800 V, 0.77 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 0,356€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3000 |
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IPN95R1K2P7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 950 V, 1.03 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 950V |
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Precio unitario: 0,411€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 255 |
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IPN95R2K0P7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 4 A, 950 V, 1.71 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 950V |
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Precio unitario: 0,304€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 390 |
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IPN95R3K7P7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2 A, 950 V, 3.11 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 950V |
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Precio unitario: 0,264€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3120 |
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IPP015N04N G |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 40 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: TMOSP10875.
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Precio unitario: 2,144€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 492 |
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IPP020N06NAKSA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 60 V, 0.0018 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IPP020N06NAKSA1, N-Canal-Canal, 120 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 OptiMOS 5 Simple Si.
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Precio unitario: 1,940€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPP020N08N5AKSA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 80 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3.
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Precio unitario: 2,323€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 568 |
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IPP023N04N G |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 90 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 90A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: TMOS3185.
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Precio unitario: 0,924€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPP023N08N5AKSA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 80 V, 0.002 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, IPP023N08N5AKSA1, N-Canal-Canal, 120 A, 80 V, 3-Pin, T0-220 OptiMOS.
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Precio unitario: 1,736€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 371 |
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IPP023N10N5AKSA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 100 V, 0.002 ohm, 10 V, 3 V
Otros nombres: MOSFET, IPP023N10N5AKSA1, N-Canal-Canal, 120 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 OptiMOS 5 Simple Si.
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Precio unitario: 2,609€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 360 |
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IPP023NE7N3GXKSA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 75 V, 0.0021 ohm, 10 V, 3.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 75V
Otros nombres: MOSFET, IPP023NE7N3GXKSA1, N-Canal-Canal, 120 A, 75 V, 3-Pin, TO-220 OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 2,580€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 17 |
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IPP028N08N3GXKSA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 80 V, 0.0024 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 300W; PG-TO220-3.
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Precio unitario: 2,765€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 64 |
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IPP029N06NAKSA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IPP029N06NAKSA1, N-Canal-Canal, 100 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 OptiMOS 5 Simple Si.
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Precio unitario: 0,864€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 180 |