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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPT111N20NFDATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 96 A, 200 V, 0.009 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 96A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: MOSFET, IPT111N20NFDATMA1, N-Canal-Canal, 96 A, 200 V, 8-Pin, PEAJE (HSOF-8) OptiMOS 3.
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Precio unitario: 3,366€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPT60R028G7XTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 75 A, 600 V, 0.024 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 75A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 8,158€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1620 |
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IPT60R050G7XTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 44 A, 600 V, 0.043 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 44A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 4,685€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2395 |
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IPT60R080G7XTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 29 A, 600 V, 0.069 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 29A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,754€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2298 |
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IPT60R102G7XTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 23 A, 600 V, 0.088 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 23A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, IPT60R102G7XTMA1, N-Canal-Canal, 23 A, 600 V, 8-Pin, PEAJE (HSOF-8) 600V CoolMOS G7 SJ.
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Precio unitario: 2,299€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2302 |
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IPT60R125G7XTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 600 V, 0.108 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,591€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2408 |
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IPT60R150G7XTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 17 A, 600 V, 0.129 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 17A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,368€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2385 |
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IPT65R033G7XTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 69 A, 650 V, 0.029 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 69A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 8,526€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 825 |
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IPT65R105G7XTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 24 A, 650 V, 0.091 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 24A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 2,318€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 309 |
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IPT65R195G7XTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 14 A, 650 V, 0.17 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 14A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 1,358€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2344 |
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IPU50R3K0CEBKMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.6 A, 500 V, 2.7 ohm, 13 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V
Otros nombres: MOSFET, IPU50R3K0CEBKMA1, N-Canal, 1,7 A, 550 V, 3-Pin, IPAK (TO-251).
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Precio unitario: 0,214€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1438 |
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IPU60R2K0C6BKMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.4 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,196€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPU60R2K1CEAKMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3.7 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,292€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 834 |
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IPU60R2K1CEBKMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3.7 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, IPU60R2K1CEBKMA1, N-Canal-Canal, 3,7 A, 650 V, 3-Pin, IPAK (TO-251) CoolMOS CE.
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Precio unitario: 0,156€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPU60R950C6BKMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 4.4 A, 600 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, IPU60R950C6BKMA1, N-Canal, 4,4 A, 650 V, 3-Pin, IPAK (TO-251).
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Precio unitario: 0,298€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |