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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IRFD020PBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.4 A, 50 V, 0.1 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 50V
Otros nombres: N channel ;VBRDSS 60 V; RDSon -- mOhm.
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Precio unitario: 0,545€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1989 |
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IRFD024PBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.5 A, 60 V, 0.1 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IRFD024PBF, N-Canal-Canal, 2,5 A, 60 V, 4-Pin, HVMDIP Simple Si.
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Precio unitario: 0,396€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6202 |
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IRFD110PBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1 A, 100 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V Número de Pines: 4Pines
Otros nombres: MOSFET, IRFD110PBF, N-Canal-Canal, 1 A, 100 V, 4-Pin, HVMDIP Simple Si.
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Precio unitario: 0,224€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5644 |
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IRFD120PBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.3 A, 100 V, 0.27 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IRFD120PBF, N-Canal-Canal, 1,3 A, 100 V, 4-Pin, HVMDIP Simple Si.
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Precio unitario: 0,286€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1299 |
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IRFD123PBF |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 1.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: N channel ;VBRDSS 100 V; RDSon 270 mOh.
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Precio unitario: 0,612€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 22 |
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IRFD210PBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 600 mA, 200 V, 1.5 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 600mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: MOSFET, IRFD210PBF, N-Canal-Canal, 600 mA, 200 V, 4-Pin, HVMDIP Simple Si.
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Precio unitario: 0,306€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3246 |
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IRFD220PBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.3 A, 200 V, 0.8 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: N channel ;VBRDSS 200 V; RDSon 800 mOh.
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Precio unitario: 0,334€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3267 |
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IRFD420PBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 370 mA, 500 V, 3 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 370mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0,23A; 1W; DIP4.
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Precio unitario: 0,356€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 960 |
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IRFD9010PBF |
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Fabricado por:
P CHANNEL MOSFET, -50V, 1.1A, HD-1 Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -1.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -50V
Otros nombres: MOSFET, IRFD9010PBF, P-Canal, 1,1 A, 60 V, 4-Pin, HVMDIP Simple Si.
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Precio unitario: 0,612€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 845 |
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IRFD9020PBF |
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Fabricado por:
P CHANNEL MOSFET, -60V, 1.6A, HD-1 Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -1.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: MOSFET, IRFD9020PBF, P-Canal, 1,6 A, 60 V, 4-Pin, HVMDIP Simple Si.
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Precio unitario: 0,612€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRFD9024PBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 1.6 A, 60 V, 0.28 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 1.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IRFD9024PBF, P-Canal, 1,6 A, 60 V, 4-Pin, HVMDIP Simple Si.
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Precio unitario: 0,595€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3199 |
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IRFD9110PBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 700 mA, -100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 700mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -100V
Otros nombres: MOSFET, IRFD9110PBF, P-Canal, 700 mA, 100 V, 4-Pin, HVMDIP Simple Si.
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Precio unitario: 0,255€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1137 |
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IRFD9120PBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 1 A, 100 V, 0.6 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,379€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2607 |
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IRFD9220PBF |
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Fabricado por:
P CHANNEL MOSFET, -200V, 560mA HD-1 Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -560mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -200V
Otros nombres: P channel ;VBRDSS -200 V; RDSon 1500 m.
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Precio unitario: 1,106€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2100 |
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IRFDC20PBF |
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Fabricado por:
N CHANNEL MOSFET, 600V, 320mA, HD-1 Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 320mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,086€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1695 |