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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI8851EDB-T2-E1 |
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Fabricado por:
MOSFET, P CHANNEL, -20V, -16.7A, MICRO FOOT Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -16.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,322€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2938 |
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SI9407BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -4.7 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -4.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: MOSFET, SI9407BDY-T1-GE3, P-Canal, 3,8 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
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Precio unitario: 0,364€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10294 |
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SI9424BDY |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 5.6 A, -20 V, 0.025 ohm, -4.5 V, -850 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 5.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,495€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI9433BDY-T1-E3 |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -6.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,614€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1173 |
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SI9433BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -4.5 A, -20 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -1.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,356€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 373 |
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SI9435BDY-T1-E3 |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -5.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,381€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI9435BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -4.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,531€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2184 |
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SIA106DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 60 V, 0.0142 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,259€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6000 |
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SIA108DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 80 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, SIA108DJ-T1-GE3, N-Canal-Canal, 12 A, 80 V, 6-Pin, PowerPAK SC-70 Simple.
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Precio unitario: 0,249€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIA110DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 100 V, 0.046 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,293€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5975 |
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SIA413ADJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -12 A, -12 V, 0.024 ohm, -4.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V |
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Precio unitario: 0,293€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIA413DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -12 A, -12 V, 0.024 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V |
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Precio unitario: 0,330€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIA416DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 11.3 A, 100 V, 0.068 ohm, 10 V, 1.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, SIA416DJ-T1-GE3, N-Canal-Canal, 11,3 A, 100 V, 6-Pin, PowerPAK SC-70 ThunderFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,229€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 533 |
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SIA421DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
P CHANNEL MOSFET, -30V, 12A, SC-70 Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -35A; 12W.
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Precio unitario: 0,435€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIA427ADJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -12 A, -8 V, 0.013 ohm, -4.5 V, -800 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -8V
Otros nombres: TMOSS6837.
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Precio unitario: 0,147€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2230 |