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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIA471DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, -30.3 A, -30 V, 0.0115 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: -30.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: TMOS6089.
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Precio unitario: 0,175€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4 |
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SIAA00DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 25 V, 0.0046 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V |
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Precio unitario: 0,204€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6000 |
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SIB404DK-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9 A, 12 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 350 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V |
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Precio unitario: 0,162€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 113 |
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SIB433EDK-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -9 A, -20 V, 0.085 ohm, -1.8 V, -400 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: TMOS1918.
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Precio unitario: 0,148€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIB437EDKT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -9 A, -8 V, 0.028 ohm, -4.5 V, -350 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -8V |
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Precio unitario: 0,169€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5465 |
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SIB452DK-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.5 A, 190 V, 1.8 ohm, 4.5 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 190V
Otros nombres: MOSFET, SIB452DK-T1-GE3, N-Canal-Canal, 670 mA, 190 V, 6-Pin, SC-75 Simple Si.
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Precio unitario: 0,251€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1994 |
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SIB456DK-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6.3 A, 100 V, 0.153 ohm, 10 V, 1.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, SIB456DK-T1-GE3, N-Canal-Canal, 6,3 A, 100 V, 6-Pin, PowerPAK SC-70 ThunderFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,125€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIDR140DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 25 V, 0.00054 ohm, 10 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V |
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Precio unitario: 0,878€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIDR220DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 25 V, 0.00048 ohm, 10 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V |
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Precio unitario: 1,181€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5888 |
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SIDR390DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 30 V, 650 µohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 1,232€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIDR392DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 30 V, 0.00047 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,980€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIDR402DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 40 V, 0.00073 ohm, 10 V, 2.3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,934€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIDR608DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 208 A, 45 V, 0.001 ohm, 10 V, 2.3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 208A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 45V
Otros nombres: MOSFET, SIDR608DP-T1-RE3, N-Canal-Canal, 208 A, 45 V, 8-Pin, PowerPAK SO Simple.
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Precio unitario: 1,038€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIDR610DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 39.6 A, 200 V, 0.0239 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 39.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V |
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Precio unitario: 1,339€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIDR622DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 56.7 A, 150 V, 0.0147 ohm, 10 V, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 56.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 1,106€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |