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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIHD4N80E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 4.3 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 0,649€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2990 |
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SIHD5N50D-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5.3 A, 500 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 0,399€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2838 |
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SIHD6N62E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 620 V, 0.78 ohm, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 620V |
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Precio unitario: 0,598€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
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SIHD6N65E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 7 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 0,724€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3800 |
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SIHD6N80E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5.4 A, 800 V, 0.82 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 0,802€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHD7N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 7 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 0,721€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2304 |
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SIHD9N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: TMOS3400.
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Precio unitario: 0,735€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2927 |
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SIHF065N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 600 V, 0.057 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 3,356€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIHF10N40D-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10 A, 400 V, 0.5 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 400V
Otros nombres: MOSFET, SIHF10N40D-E3, N-Canal-Canal, 10 A, 400 V, 3-Pin, TO-220FP D Series Simple Si.
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Precio unitario: 0,446€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 935 |
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SIHF12N60E-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 12A, TO-220-3 Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2 V.
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Precio unitario: 1,701€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 618 |
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SIHF12N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,174€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 497 |
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SIHF15N60E-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 15A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,873€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 283 |
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SIHF15N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 15A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,397€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2314 |
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SIHF16N50C-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 500 V, 0.31 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 2,648€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHF18N50D-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 1,154€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 355 |