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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIHG30N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 29 A, 600 V, 0.104 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 29A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, SIHG30N60E-GE3, N-Canal-Canal, 29 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC E Series Simple Si.
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Precio unitario: 2,949€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5834 |
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SIHG32N50D-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 500 V, 0.125 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V
Otros nombres: MOSFET, SIHG32N50D-GE3, N-Canal-Canal, 30 A, 500 V, 3-Pin, TO-247AC Simple Si.
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Precio unitario: 2,450€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 499 |
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SIHG33N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 33 A, 600 V, 0.083 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 33A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 5,587€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 70 |
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SIHG33N65E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 32.4 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 32.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 3,541€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6 |
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SIHG33N65EF-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 31.6 A, 650 V, 0.095 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 31.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: TMOS1220.
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Precio unitario: 3,201€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHG35N60EF-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 32 A, 600 V, 0.084 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 32A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,629€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIHG460B-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 500 V, 0.2 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V
Otros nombres: MOSFET, SIHG460B-GE3, N-Canal-Canal, 20 A, 500 V, 3-Pin, TO-247AC D Series Simple Si.
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Precio unitario: 1,610€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 91 |
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SIHG47N60AEF-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 600 V, 0.061 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 4,637€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 500 |
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SIHG47N60AEL-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 47 A, 600 V, 0.053 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 47A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 379W; TO247AC.
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Precio unitario: 4,982€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 48 |
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SIHG47N60E-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 47 A, 600 V, 0.053 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 47A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 4,928€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 500 |
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SIHG47N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 47 A, 600 V, 0.053 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 47A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 5,083€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 588 |
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SIHG47N60S-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 47 A, 600 V, 0.057 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 47A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 4,908€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHG70N60AEF-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 600 V, 0.0355 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: STDMOS1614.
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Precio unitario: 5,741€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 992 |
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SIHG73N60AE-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 600 V, 0.035 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 5,772€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 500 |
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SIHG73N60AEL-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 69 A, 600 V, 0.035 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 69A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 7,052€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |