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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIR608DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 208 A, 45 V, 0.001 ohm, 10 V, 2.3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 208A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 45V
Otros nombres: TMOS3168.
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Precio unitario: 0,742€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 45 |
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SIR610DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35.4 A, 200 V, 0.0239 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: TMOS2823.
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Precio unitario: 0,772€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIR622DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 51.6 A, 150 V, 0.0147 ohm, 10 V, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 51.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 0,999€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 30 |
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SIR624DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 18.6 A, 200 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V |
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Precio unitario: 0,372€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5965 |
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SIR626DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 60 V, 0.0014 ohm, 10 V, 3.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, SIR626DP-T1-RE3, N-Canal-Canal, 100 A, 60 V, 8-Pin, SO TrenchFET Simple.
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Precio unitario: 0,843€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14871 |
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SIR626LDP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 186 A, 60 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 186A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 1,164€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIR632DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 29 A, 150 V, 0.0285 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 29A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V
Otros nombres: MOSFET, SIR632DP-T1-RE3, N-Canal-Canal, 29 A, 150 V, 8-Pin, SO Simple.
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Precio unitario: 0,598€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4085 |
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SIR638ADP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 40 V, 730 µohm, 10 V, 2.3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,651€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5702 |
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SIR638DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 40 V, 730 µohm, 10 V, 2.3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,658€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3990 |
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SIR640ADP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 40 V, 0.00165 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,827€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIR644DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 40 V, 0.0022 ohm, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,453€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIR662DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 60 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 350A; 66,6W.
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Precio unitario: 0,853€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9136 |
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SIR668ADP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 93.6 A, 100 V, 0.004 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 93.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,860€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5901 |
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SIR668DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 95 A, 100 V, 0.004 ohm, 10 V, 3.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 95A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, SIR668DP-T1-RE3, N-Canal-Canal, 65 A, 100 V, 8-Pin, SO TrenchFET Simple.
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Precio unitario: 0,959€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIR680DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 80 V, 0.0024 ohm, 10 V, 3.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, SIR680DP-T1-RE3, N-Canal-Canal, 100 A, 80 V, 8-Pin, SO TrenchFET Simple.
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Precio unitario: 1,610€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1933 |