Inicio » Semiconductores - Discretos » Transistores » Transistores MOSFET » Transistores MOSFET Simples
Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
SQ2310ES-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3,5A; 0,6W; SOT23.
|
|
Precio unitario: 0,223€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SQ2310ES-T1_GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQ2310ES-T1_GE3, N-Canal-Canal, 6 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23 SQ Rugged Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,212€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 710 |
|
|
SQ2318AES-T1_GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 40 V, 0.125 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: AEQC101 Qualified N-CHANNEL 40-V (D-S) 1.
|
|
Precio unitario: 0,127€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 158383 |
|
|
SQ2319ADS-T1_GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -4.6 A, -40 V, 0.068 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -4.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: TMOS2440.
|
|
Precio unitario: 0,177€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2325 |
|
|
SQ2348ES-T1_GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 30 V, 0.02 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
|
Precio unitario: 0,136€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7505 |
|
|
SQ2361ES-T1_GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -2.8 A, -60 V, 0.13 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -2.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQ2361ES-T1_GE3, P-Canal, 2,8 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23 Simple.
|
|
Precio unitario: 0,163€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 22933 |
|
|
SQ2362ES-T1_GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.3 A, 60 V, 0.125 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: AEQC101 Qualified N-CHANNEL 60-V (D-S) 1.
|
|
Precio unitario: 0,160€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 39022 |
|
|
SQ2364EES-T1_GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2 A, 60 V, 0.19 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQ2364EES-T1_GE3, N-Canal-Canal, 2 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23 TrenchFET Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,175€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2760 |
|
|
SQ2389ES-T1_GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 4.1 A, 40 V, 94 mohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 4.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: AEQC101 Qualified P-CHANNEL 40-V (D-S) 1.
|
|
Precio unitario: 0,190€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 52475 |
|
|
SQ3419EV-T1_GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -6.9 A, -40 V, 0.048 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -6.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: MOSFET, SQ3419EV-T1_GE3, P-Canal, 7,4 A, 40 V, 6-Pin, TSOP SQ Rugged Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,177€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2990 |
|
|
SQ3427AEEV-T1_GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -5.3 A, -60 V, 0.079 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -5.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: TMOS2520.
|
|
Precio unitario: 0,229€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 13073 |
|
|
SQ3456EV-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 30 V, 0.028 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
|
Precio unitario: 0,162€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
|
|
SQ3460EV-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
|
Precio unitario: 0,187€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SQ4080EY-T1_GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 150 V, 0.07 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
|
Precio unitario: 0,403€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3020 |
|
|
SQ4401EY-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -17.3 A, -40 V, 0.011 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -17.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: MOSFET, SQ4401EY-T1-GE3, P-Canal, 17 A, 40 V, 8-Pin, SOIC SQ Rugged Simple Si.
|
|
Precio unitario: 1,019€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |