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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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BSZ105N04NSGATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 40 V, 0.0088 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,168€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BSZ110N06NS3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, BSZ110N06NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 20 A, 60 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 0,240€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7797 |
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BSZ110N08NS5ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 80 V, 0.0096 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, BSZ110N08NS5ATMA1, N-Canal-Canal, 40 A, 80 V, 8-Pin, PQFN 3,3 x 3,3 OptiMOS 5.
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Precio unitario: 0,306€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9011 |
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BSZ120P03NS3EGATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -40 A, -30 V, 0.009 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,357€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3470 |
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BSZ120P03NS3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -40 A, -30 V, 0.009 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,202€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5004 |
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BSZ123N08NS3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 80 V, 0.0103 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 0,407€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3790 |
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BSZ12DN20NS3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 11.3 A, 200 V, 0.108 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: MOSFET, BSZ12DN20NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 11,3 A, 200 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 0,445€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5834 |
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BSZ130N03LSGATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 30 V, 0.0108 ohm, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8.
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Precio unitario: 0,204€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7070 |
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BSZ130N03MSGATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 30 V, 0.0092 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, BSZ130N03MSGATMA1, N-Canal-Canal, 35 A, 30 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 0,202€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8635 |
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BSZ150N10LS3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 100 V, 0.013 ohm, 10 V, 1.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,492€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11364 |
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BSZ160N10NS3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, BSZ160N10NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 40 A, 100 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS 3 Simple, MOSFET, BSZ160N10NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 40 A, 100 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 0,437€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5000 |
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BSZ165N04NSGATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 31 A, 40 V, 0.0138 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 31A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, BSZ165N04NSGATMA1, N-Canal-Canal, 31 A, 40 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 0,231€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4083 |
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BSZ16DN25NS3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10.9 A, 250 V, 0.146 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V |
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Precio unitario: 0,629€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9990 |
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BSZ180P03NS3EGATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -39.6 A, -30 V, 0.0135 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -39.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, BSZ180P03NS3EGATMA1, P-Canal, 39 A, 30 V, 8-Pin, PG-TDSON.
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Precio unitario: 0,194€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 289 |
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BSZ22DN20NS3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 7 A, 200 V, 0.194 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: MOSFET, BSZ22DN20NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 7 A, 200 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 0,425€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |