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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SQD40020EL_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 40 V, 0.00178 ohm, 10 V, 1.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQD40020EL_GE3, N-Canal-Canal, 100 A, 40 V, 3-Pin, TO-252 Simple.
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Precio unitario: 0,713€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SQD40020E_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQD40020E_GE3, N-Canal-Canal, 100 A, 40 V, 3-Pin, TO-252 Simple.
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Precio unitario: 0,713€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SQD40031EL_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -100 A, -30 V, 0.00263 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, SQD40031EL_GE3, P-Canal, 100 A, 30 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,651€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQD40061EL_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -100 A, -40 V, 0.0042 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: MOSFET, SQD40061EL_GE3, P-Canal, 100 A, 40 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,617€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQD40081EL_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -50 A, -40 V, 0.007 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: STDMOS1542.
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Precio unitario: 0,521€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQD40131EL_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -50 A, -40 V, 0.0095 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V |
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Precio unitario: 1,106€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1638 |
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SQD50N04-09H-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 40 V, 0.0068 ohm, 10 V, 3.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,999€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQD50N04-4M5L-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 40 V, 0.003 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQD50N04-4M5L-GE3, N-Canal-Canal, 50 A, 40 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) SQ Rugged Simple Si.
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Precio unitario: 0,710€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQD50N05-11L-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 50 V, 0.009 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 50V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 32A; 75W; DPAK.
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Precio unitario: 0,381€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 87 |
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SQD50P04-09L-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -50 A, -40 V, 0.0076 ohm, -10 V, -1.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V |
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Precio unitario: 1,156€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQJ158EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 23 A, 60 V, 0.0272 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 23A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,224€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2915 |
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SQJ407EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -60 A, -30 V, 0.0036 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,482€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9563 |
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SQJ409EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -60 A, -40 V, 0.0058 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: TMOS6806.
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Precio unitario: 0,444€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 18615 |
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SQJ411EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -60 A, -12 V, 0.0048 ohm, -4.5 V, -600 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V |
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Precio unitario: 0,426€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2382 |
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SQJ412EP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 32 A, 40 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 32A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,889€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |