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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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C2M0080170P |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, SiC, Canal N, 40 A, 1.7 kV, 0.08 ohm, 20 V, 2.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.7kV
Otros nombres: MOSFET, C2M0080170P, N-Canal-Canal, 40 A, 1700 V, 4-Pin, TO-247 Simple SiC.
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Precio unitario: 30,070€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 545 |
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C2M0160120D |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, 20 V, 2.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV
Otros nombres: MOSFET, C2M0160120D, N-Canal-Canal, 19 A, 1.200 V, 3-Pin, TO-247 Simple SiC.
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Precio unitario: 7,149€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 581 |
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C2M0280120D |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, 20 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV
Otros nombres: MOSFET, C2M0280120D, N-Canal-Canal, 10 A, 1.200 V, 3-Pin, TO-247 Simple SiC.
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Precio unitario: 4,608€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 772 |
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C2M1000170J |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5.3 A, 1.7 kV, 1 ohm, 20 V, 2.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.7kV
Otros nombres: MOSFET, C2M1000170J, N-Canal-Canal, 5,3 A, 1700 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) Simple SiC.
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Precio unitario: 4,860€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 664 |
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C3M0016120K |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, SiC, Canal N, 115 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, 15 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 115A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV
Otros nombres: MOSFET, C3M0016120K, N-Canal-Canal, 115 A, 1.200 V, 4-Pin, TO-247 Simple SiC, SiC MOSFET G3 1200V 16mOhms.
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Precio unitario: 62,187€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3M0030090K |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 63 A, 900 V, 0.03 ohm, 15 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 63A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V
Otros nombres: MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 30mOhm, MOSFET, C3M0030090K, N-Canal-Canal, 63 A, 900 V, 4-Pin, TO-247 Simple SiC.
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Precio unitario: 25,433€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 548 |
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C3M0065090D |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, 15 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 36A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V
Otros nombres: MOSFET, C3M0065090D, N-Canal-Canal, 36 A, 900 V, 3-Pin, TO-247 Simple SiC.
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Precio unitario: 8,594€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1040 |
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C3M0065090J |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, 15 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V
Otros nombres: MOSFET, C3M0065090J, N-Canal-Canal, 35 A, 900 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) Simple SiC.
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Precio unitario: 8,963€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1272 |
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C3M0065100J |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, 15 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1kV
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113,5W; D2PAK-7; 14ns.
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Precio unitario: 10,069€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1757 |
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C3M0065100K |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, SiC C3M, Canal N, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, 15 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1kV
Otros nombres: MOSFET, C3M0065100K, N-Canal-Canal, 35 A, 1.000 V, 4-Pin, TO-247 C3M SiC.
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Precio unitario: 10,137€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2106 |
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C3M0075120D |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, SiC, Canal N, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, 15 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV
Otros nombres: MOSFET 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET, MOSFET, C3M0075120D, N-Canal-Canal, 30 A, 1.200 V, 3-Pin, TO-247 Simple SiC.
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Precio unitario: 15,898€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3M0075120J |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, MOSFET SiC C3M™, Canal N, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, 15 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV
Otros nombres: MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7, MOSFET, C3M0075120J, N-Canal-Canal, 30 A, 1.200 V, 7-Pin, TO-263 Simple SiC.
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Precio unitario: 10,563€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1056 |
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C3M0120090D |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, 15 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 23A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V
Otros nombres: MOSFET, C3M0120090D, N-Canal-Canal, 23 A, 900 V, 3-Pin, TO-247 Simple SiC.
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Precio unitario: 5,529€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1577 |
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C3M0120090J |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 22 A, 900 V, 0.12 ohm, 15 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 22A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V
Otros nombres: MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm, MOSFET, C3M0120090J, N-Canal-Canal, 22 A, 900 V, 7-Pin, TO-263 Simple SiC.
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Precio unitario: 5,694€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 411 |
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C3M0120100J |
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Fabricado por:
MOSFET de Potencia de Carburo de Silicio, Canal N, 22 A, 1 kV, 0.12 ohm, 15 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 22A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1kV
Otros nombres: MOSFET, C3M0120100J, N-Canal-Canal, 22 A, 1.000 V, 7 + Tab-Pin, TO-263 C3M Simple SiC.
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Precio unitario: 9,050€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |